【摘要】：隨著器件尺寸縮小至納米級,微觀粒子對半導(dǎo)體器件的影響變得越來越明顯。器件可靠性的研究近年來逐漸引起了人們的重視,開展了很多相關(guān)研究。以研究單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)為核心,在傳統(tǒng)混合仿真的基礎(chǔ)上,采用簡化RC電路模型對簡化電路的應(yīng)用進行研究,總結(jié)了電阻和電容值變化對等效電路中敏感節(jié)點處電學(xué)特性變化的規(guī)律,探究了使用Id-Vd曲線判斷單粒子翻轉(zhuǎn)的準確性,提出了在研究臨位翻轉(zhuǎn)時,通過單次實驗即可有效預(yù)測臨位翻轉(zhuǎn)情況的方法。根據(jù)實驗所得的電壓電流曲線圖形特點對它們進行分類,從而判斷臨位翻轉(zhuǎn)。通過模擬實驗與預(yù)測結(jié)果比對,兩者的結(jié)果相符,預(yù)測有較高準確性。
[Abstract]:As the device size decreases to nano-scale, the effect of micro-particles on semiconductor devices becomes more and more obvious. In recent years, the research of device reliability has been paid more and more attention, and a lot of related researches have been carried out. Based on the traditional hybrid simulation, the simplified RC circuit model is used to study the application of simplified circuit based on the study of single-particle flip-over effect. This paper summarizes the change of electrical characteristics of sensitive nodes in equivalent circuit by the change of resistance and capacitance, probes into the accuracy of using Id-Vd curve to judge single-particle flip, and puts forward that in the study of on-site flip-over, the accuracy of single-particle flip-over is discussed. A single experiment can be used to predict the reversal of the parietal position effectively. According to the characteristics of the voltage-current curves obtained by the experiment, they are classified to judge the reversal of the temporary position. Through the comparison between the simulation experiment and the forecast result, the two results are in agreement with each other, and the prediction accuracy is high.
【作者單位】： 國防科學(xué)技術(shù)大學(xué)計算機學(xué)院;哈爾濱工業(yè)大學(xué)航天學(xué)院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項目(60970036) 教育部博士點基金資助項目(20124307110016)
【分類號】：TP333

【參考文獻】

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【共引文獻】

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【二級參考文獻】

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【相似文獻】

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本文編號：2452918