基于相變存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)系統(tǒng)與技術(shù)綜述
[Abstract]:With the increasing performance gap between processor and memory, the problem of "memory wall" is becoming more and more serious. However, the integration of traditional DRAM devices is approaching the limit, and the problem of energy consumption has become the bottleneck. How to design a solid and effective storage architecture to solve the storage wall problem has become a challenge. In recent years, novel memory devices, represented by phase change memory (phase change memory,PCM), have attracted wide attention from researchers at home and abroad because of their high integration and low power consumption. In particular, phase change memory is characterized by both main memory and external memory because of its nonvolatile and byte addressing properties. Under its influence, the boundary between main memory and external memory is becoming blurred. Will bring significant changes to the future storage architecture. This paper mainly discusses the structure of main memory based on PCM, and analyzes the key problems such as write optimization technology, wear balance technology, hardware error correction technology, bad block reuse technology, software optimization and so on. Then, the application research of PCM storage system and the influence of its external storage architecture and system design are discussed. Finally, the prospect of application of PCM in storage system is presented.
【作者單位】: 清華大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)與技術(shù)系;
【基金】:國(guó)家杰出青年科學(xué)基金項(xiàng)目(60925006) 國(guó)家“八六三”高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃基金項(xiàng)目(2012AA011003)
【分類(lèi)號(hào)】:TP333
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,本文編號(hào):2414672
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