【摘要】：納米鈦氧化物憶阻器有望成為新一代阻性存儲器基本單元并應(yīng)用于輻射環(huán)境中的航天器控制及數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng).輻射能量,強(qiáng)度,方向,持續(xù)時間等要素發(fā)生改變均可能對鈦氧化物憶阻器受到的輻射損傷構(gòu)成影響,然而,目前尚無相關(guān)具體研究.基于以蒙特卡洛方法為核心的SRIM仿真,本文針對宇宙射線主體組成部分——質(zhì)子及α射線定量研究了各個輻射要素與鈦氧化物憶阻器輻射損傷的關(guān)聯(lián),依據(jù)器件實(shí)測數(shù)據(jù)研究了輻射要素與導(dǎo)通阻抗,截止阻抗及氧空缺遷移率等憶阻器主要參數(shù)的關(guān)系,進(jìn)一步利用SPICE仿真討論了輻射對雜質(zhì)漂移與隧道勢壘共存特性的影響,從而為評估及降低鈦氧化物憶阻器輻射損傷,提高器件應(yīng)用于輻射環(huán)境的可靠性提供依據(jù).
[Abstract]:Nanocrystalline titanium oxide amnesia is expected to become a new generation of resistive memory basic cells and be used in spacecraft control and data storage systems in radiation environment. The change of radiation energy, intensity, direction, duration and so on may affect the radiation damage of titanium oxide memory devices. However, there is no specific research on it. Based on the SRIM simulation with Monte Carlo method as the core, the correlation between the radiation elements and the radiation damage of titanium oxide amnesia is studied quantitatively for protons and 偽 rays, which are the main components of cosmic ray. Based on the measured data of the device, the relationship between the radiation elements and the main parameters such as the on-impedance, cutoff impedance and oxygen vacancy mobility is studied. The influence of radiation on the coexistence of impurity drift and tunnel barrier is further discussed by SPICE simulation. The results provide a basis for evaluating and reducing the radiation damage of titanium oxide resistor and improving the reliability of the device used in radiation environment.
【作者單位】： 國防科學(xué)技術(shù)大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(批準(zhǔn)號:61471377,F011801)資助的課題~~
【分類號】：TP333

【參考文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前3條

1 叢忠超;余學(xué)峰;崔江維;鄭齊文;郭旗;孫靜;汪波;馬武英;瑪麗婭;周航;;靜態(tài)隨機(jī)存儲器總劑量輻射損傷的在線與離線測試方法[J];物理學(xué)報;2014年08期

2 董哲康;段書凱;胡小方;王麗丹;;兩類納米級非線性憶阻器模型及串并聯(lián)研究[J];物理學(xué)報;2014年12期

3 王天舒;張瑞德;關(guān)哲;巴柯;俎云霄;;憶阻元件與RLC以及二極管串并聯(lián)電路的特性研究[J];物理學(xué)報;2014年17期

【共引文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前6條

1 康鵬;黃安平;賈林楠;胡琪;韓少奇;何建學(xué);王玫;肖志松;;納米點(diǎn)調(diào)控氧化物憶阻器電導(dǎo)特性研究進(jìn)展[J];微納電子技術(shù);2014年11期

2 王小平;沈軼;吳計生;孫軍偉;李薇;;憶阻及其應(yīng)用研究綜述[J];自動化學(xué)報;2013年08期

3 許諾;方糧;湯振森;張超;池雅慶;;多值憶阻器的寫入方式研究[J];計算機(jī)研究與發(fā)展;2014年S1期

4 田曉波;徐暉;李清江;;橫截面積參數(shù)對鈦氧化物憶阻器導(dǎo)電特性的影響[J];物理學(xué)報;2014年04期

5 徐暉;田曉波;步凱;李清江;;溫度改變對鈦氧化物憶阻器導(dǎo)電特性的影響[J];物理學(xué)報;2014年09期

6 田曉波;徐暉;;Characteristics of titanium oxide memristor with coexistence of dopant drift and a tunnel barrier[J];Chinese Physics B;2014年06期

相關(guān)博士學(xué)位論文 前6條

1 張瑋;過渡金屬氧化物壓力行為和缺陷問題的第一性原理研究[D];南京師范大學(xué);2013年

2 王中強(qiáng);金屬氧化物憶阻器件的制備及其阻變存儲、神經(jīng)突觸仿生研究[D];東北師范大學(xué);2013年

3 蔣興莉;氧化物異質(zhì)結(jié)構(gòu)中的電阻開關(guān)效應(yīng)研究[D];清華大學(xué);2013年

4 趙鴻濱;新型二元氧化物阻變薄膜與器件研究[D];北京有色金屬研究總院;2014年

5 高倩倩;Mn摻雜ZnO室溫鐵磁性及金屬—半導(dǎo)體電致電阻效應(yīng)研究[D];中國科學(xué)技術(shù)大學(xué);2014年

6 王越飛;新型半導(dǎo)體非易失性存儲模式的物理機(jī)制及器件研究[D];南京大學(xué);2014年

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前8條

1 孫甲;高活性銳鈦礦二氧化鈦的制備及其光催化研究[D];揚(yáng)州大學(xué);2013年

2 張俊;外延生長二氧化鈰薄膜及其阻變性能研究[D];北京有色金屬研究總院;2014年

3 王卿文;VCM型阻變存儲器機(jī)理及仿真研究[D];西安電子科技大學(xué);2014年

4 許曉欣;基于1T1R結(jié)構(gòu)的阻變存儲器失效機(jī)理研究[D];山東大學(xué);2014年

5 閆安;基于鈦氧化物阻變存儲陣列的制備與機(jī)理研究[D];國防科學(xué)技術(shù)大學(xué);2012年

6 朱任杰;憶阻器實(shí)現(xiàn)神經(jīng)元電路的方法研究[D];武漢科技大學(xué);2014年

7 劉易;基于標(biāo)準(zhǔn)邏輯工藝的阻變存儲器性能及存儲結(jié)構(gòu)研究[D];復(fù)旦大學(xué);2013年

8 劉峰良;RRAM及其在FPGA設(shè)計中的應(yīng)用研究[D];復(fù)旦大學(xué);2013年

【二級參考文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 任迪遠(yuǎn),余學(xué)鋒,郭旗,陸嫵,嚴(yán)榮良;L82C87集成電路的總劑量輻射效應(yīng)研究[J];核技術(shù);1997年02期

2 賀朝會,耿斌,何寶平,姚育娟,李永宏,彭宏論,林東生,周輝,陳雨生;大規(guī)模集成電路總劑量效應(yīng)測試方法初探[J];物理學(xué)報;2004年01期

3 張旭;周玉澤;閉強(qiáng);楊興華;俎云霄;;有邊界條件的憶阻元件模型及其性質(zhì)[J];物理學(xué)報;2010年09期

4 李明;余學(xué)峰;薛耀國;盧健;崔江維;高博;;部分耗盡絕緣層附著硅靜態(tài)隨機(jī)存儲器總劑量輻射損傷效應(yīng)的研究[J];物理學(xué)報;2012年10期

5 宋德華;呂夢菲;任翔;李萌萌;俎云霄;;憶阻電路的基本性質(zhì)及其應(yīng)用[J];物理學(xué)報;2012年11期

6 李明;余學(xué)峰;許發(fā)月;李茂順;高博;崔江維;周東;席善斌;王飛;;靜態(tài)隨機(jī)存儲器總劑量輻射及退火效應(yīng)研究[J];原子能科學(xué)技術(shù);2012年04期

7 賈林楠;黃安平;鄭曉虎;肖志松;王玫;;界面效應(yīng)調(diào)制憶阻器研究進(jìn)展[J];物理學(xué)報;2012年21期

8 李智煒;劉海軍;徐欣;;憶阻逾滲導(dǎo)電模型中的初態(tài)影響[J];物理學(xué)報;2013年09期

9 鄭齊文;余學(xué)峰;崔江維;郭旗;任迪遠(yuǎn);叢忠超;;總劑量輻射環(huán)境中的靜態(tài)隨機(jī)存儲器功能失效模式研究[J];物理學(xué)報;2013年11期

10 包伯成;王春麗;武花干;喬曉華;;憶阻電路降維建模與特性分析[J];物理學(xué)報;2014年02期

【相似文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 溫樹林;;BGO電子輻射損傷的研究[J];電子顯微學(xué)報;1984年01期

2 張景強(qiáng);盧p樣，

本文編號：2380028