【摘要】：NAND Flash存儲(chǔ)芯片的整體性能,在很大程度上會(huì)受到NAND Flash控制器的影響。為此在對(duì)NAND Flash的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)和接口進(jìn)行仔細(xì)分析的基礎(chǔ)上,設(shè)計(jì)了控制器的硬件功能,確定了各個(gè)命令執(zhí)行時(shí)的設(shè)備狀態(tài)轉(zhuǎn)換關(guān)系,并在仿真環(huán)境下,利用NAND Flash控制器進(jìn)行存儲(chǔ)介質(zhì)的讀寫及擦除等操作,全面驗(yàn)證了控制器的功能。結(jié)果表明,控制器工作正常,符合設(shè)計(jì)目標(biāo)。
[Abstract]:The overall performance of NAND Flash memory chip is greatly affected by NAND Flash controller. Based on the careful analysis of the storage structure and interface of NAND Flash, the hardware function of the controller is designed, and the device state transition relation when each command is executed is determined. The function of the controller is verified by using NAND Flash controller to read, write and erase the storage medium. The results show that the controller works normally and accords with the design goal.
【作者單位】： 中國人民解放軍31008部隊(duì);西北工業(yè)大學(xué)計(jì)算機(jī)學(xué)院;中國航天空氣動(dòng)力技術(shù)研究院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(61371024、61601371) 航空科學(xué)基金(2016ZD53035) 中航產(chǎn)學(xué)研項(xiàng)目(cxy2013XGD14) 電子元器件可靠性物理及其應(yīng)用技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室開放基金資助
【分類號(hào)】：TP333

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