【摘要】：一次性可編程OTP存儲器件的數(shù)據(jù)燒錄需要專門的燒錄器,而獲取讀取與燒寫的數(shù)據(jù)則需要專門上位機軟件來進行相應(yīng)的操作。針對國內(nèi)某反熔絲OTP存儲器件,本文主要介紹了如何使用C#語言設(shè)計一個通過串口通信實現(xiàn)在PC上進行OPT存儲器數(shù)據(jù)的讀寫的測試軟件。由于必需對OTP存儲器的功能進行測試才能得到OPT存儲器中被燒錄的正確數(shù)據(jù),因此怎樣使用上位機軟件讀取到通過串口與PC相連的高性能的OTP存儲器中的數(shù)據(jù)成為一個我們非常關(guān)心的課題。C#語法簡單,代碼重用性高,易于維護,設(shè)計出的軟件便于測試人員進行操作。在PC與基于STM32的下位機硬件平臺連接進行實際測試的實驗中表明,利用C#編寫出的上位機軟件能快速、準確地對OPT存儲器進行讀取和寫入。
[Abstract]:A special recorder is needed for the data burning of a single programmable OTP memory device, and the acquisition of read and write data requires a special upper computer software to perform the corresponding operation. Aiming at an anti-fuse OTP memory device in China, this paper mainly introduces how to use C # language to design a test software which can read and write OPT memory data on PC through serial communication. Since the function of the OTP memory must be tested to get the correct data burned in the OPT memory, Therefore, how to use PC software to read the data in the high-performance OTP memory connected to PC through serial port has become a very concerned topic. The syntax of .C# is simple, the code reusability is high, and it is easy to maintain. The designed software is easy for testers to operate. In the experiment of connecting PC with the hardware platform of lower computer based on STM32, it is shown that the PC software written by C # can read and write OPT memory quickly and accurately.
【作者單位】： 電子科技大學微電子與固體電子學院;成都信息工程大學光電技術(shù)學院;
【分類號】：TP333;TP311.52

【相似文獻】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 BRIAN DIPERT;;清除不合格的存儲器[J];電子設(shè)計技術(shù);2002年03期

2 張健;CellularRAM存儲器:2.5G/3G終端的理想方案[J];電子設(shè)計應(yīng)用;2003年10期

3 ;韓國開發(fā)出新一代超高速存儲器芯片[J];世界科技研究與發(fā)展;2004年02期

4 ;韓國開發(fā)出新一代超高速存儲器芯片[J];稀有金屬;2004年03期

5 ;我國首款自主知識產(chǎn)權(quán)相變存儲器芯片研制成功[J];發(fā)明與創(chuàng)新(綜合科技);2011年06期

6 竇振中;未來存儲器技術(shù)[J];電子產(chǎn)品世界;2000年02期

7 鄒益民;存儲器的兼容性設(shè)計[J];電子工藝技術(shù);2001年03期

8 鄒益民;存儲器的兼容性設(shè)計[J];國外電子元器件;2001年04期

9 潘立陽;朱鈞;段志剛;伍冬;;快閃存儲器技術(shù)研究與進展[J];中國集成電路;2002年11期

10 仇德成,王東海;存儲器擴展中片選的連接[J];河西學院學報;2003年02期

相關(guān)會議論文 前4條

1 衛(wèi)寧;王劍峰;杜婕;周聰莉;郭旗;文林;;抗輻射加固封裝國產(chǎn)存儲器電子輻照試驗研究[A];第十屆全國抗輻射電子學與電磁脈沖學術(shù)年會論文集[C];2009年

2 胡勇;吳丹;沈森祖;石堅;;基于V93000測試系統(tǒng)的存儲器測試方法研究和實現(xiàn)[A];第五屆中國測試學術(shù)會議論文集[C];2008年

3 吾勤之;許導進;王晨;劉剛;蔡小五;韓鄭生;;SRAM存儲器單粒子效應(yīng)試驗研究[A];第十屆全國抗輻射電子學與電磁脈沖學術(shù)年會論文集[C];2009年

4 唐民;;超深亞微米SRAM和Flash存儲器的輻射效應(yīng)[A];第十屆全國抗輻射電子學與電磁脈沖學術(shù)年會論文集[C];2009年

相關(guān)重要報紙文章 前9條

1 姜洋;恒憶進軍存儲器市場[N];中國計算機報;2008年

2 本報記者 郭濤;閃存之后,相變存儲器再受關(guān)注[N];中國計算機報;2011年

3 南京 沈永明;彩電存儲器讀寫器的制作和使用[N];電子報;2005年

4 莫大康;應(yīng)用推動 存儲器重回上升軌道[N];中國電子報;2007年

5 記者王俊鳴;64位存儲器在美問世[N];科技日報;2002年

6 蔡綺芝 DigiTimes;IBM Racetrack Memory將取代閃存[N];電子資訊時報;2007年

7 IDG電訊;“牛”氣沖天[N];計算機世界;2000年

8 記者 張錦芳;韓國高速芯片每秒可傳1萬本厚書[N];新華每日電訊;2004年

9 趙軍紅　編譯;存儲器或?qū)⒂瓉硪粓鲂赂锩黐N];科技日報;2010年

相關(guān)博士學位論文 前5條

1 袁方;新型高密度非揮發(fā)存儲器研究[D];清華大學;2014年

2 吳丹;高效能計算型存儲器體系結(jié)構(gòu)關(guān)鍵技術(shù)研究與實現(xiàn)[D];華中科技大學;2012年

3 范雪;一種新型反熔絲存儲器的研制及其抗輻射加固方法研究[D];電子科技大學;2011年

4 劉璐;高k柵堆棧電荷陷阱型MONOS存儲器的研究[D];華中科技大學;2013年

5 周嬌;相變存儲器按比例縮小研究[D];華中科技大學;2014年

相關(guān)碩士學位論文 前10條

1 段志剛;嵌入式低壓低功耗新型快閃存儲器電路研究[D];清華大學;2004年

2 李家強;基于正交拉丁碼的存儲器抗多位翻轉(zhuǎn)設(shè)計[D];哈爾濱工業(yè)大學;2014年

3 沈菊;相變存儲器芯片電路設(shè)計與實現(xiàn)[D];中國科學院研究生院（上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所）;2008年

4 張佶;高密度阻變存儲器的設(shè)計[D];復旦大學;2010年

5 張顯敞;存儲器測試算法研究及應(yīng)用實現(xiàn)[D];電子科技大學;2013年

6 趙志剛;基于相變存儲器電流約束下片內(nèi)并行寫入操作研究[D];山東大學;2015年

7 馬文龍;阻變存儲器外圍電路設(shè)計[D];湖南大學;2014年

8 宋子凱;大規(guī)模存儲器的高速并行測試解決方案[D];上海交通大學;2007年

9 丁川;納米晶存儲器中的高壓產(chǎn)生系統(tǒng)設(shè)計[D];華中科技大學;2010年

10 黃冬其;相變存儲器單元高速擦寫測試方法研究[D];華中科技大學;2012年

，

本文編號：2243252