【摘要】：運用電路仿真研究了單粒子瞬態(tài)脈沖效應對鐵電存儲單元存儲特性的影響。結(jié)合單粒子對MOS器件的影響,用電流模擬單粒子對存儲單元的影響且進行仿真分析。仿真結(jié)果表明脈沖電流峰值越高,時間越長,鐵電存儲單元越容易翻轉(zhuǎn)。經(jīng)分析得出了鐵電電容翻轉(zhuǎn)是由瞬態(tài)電流脈沖產(chǎn)生的單位面積電荷量決定,最后解釋了翻轉(zhuǎn)的原因。
[Abstract]:The effect of single particle transient pulse effect on the memory characteristics of ferroelectric memory cell is studied by circuit simulation. Combined with the effect of single particle on MOS device, the effect of single particle on memory cell is simulated and analyzed with current. The simulation results show that the higher the pulse current peak and the longer the time, the easier to flip the ferroelectric memory cell. It is concluded that the flipping of ferroelectric capacitance is determined by the charge per unit area generated by the transient current pulse, and the reason of the flip is explained at last.
【作者單位】： 電子科技大學電子薄膜與集成器件國家重點實驗室;
【分類號】：TP333

【共引文獻】

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