【摘要】：制備了一種具有多級(jí)存儲(chǔ)效應(yīng)的密集ZnO納米棒陣列阻變存儲(chǔ)器件,借助I-V曲線和熒光光譜分析了器件的電流傳導(dǎo)機(jī)制和阻變機(jī)制,發(fā)現(xiàn)器件在不同的電阻態(tài)下分別屬于歐姆傳導(dǎo)和空間電荷限制電流(SCLC)傳導(dǎo)機(jī)制。正向電場(chǎng)作用使納米棒表面耗盡區(qū)的氧空位V++密度增大,完善了電子傳輸?shù)膶?dǎo)電細(xì)絲通道,器件實(shí)現(xiàn)了由高阻態(tài)向低阻態(tài)的轉(zhuǎn)變;在反向電壓作用下,導(dǎo)電通道斷裂,器件恢復(fù)到高阻態(tài)。
[Abstract]:A dense ZnO nanorod array resistive memory device with multistage storage effect was prepared. The current conduction mechanism and resistance mechanism of the device were analyzed by I-V curve and fluorescence spectrum. It is found that the device belongs to the ohmic conduction mechanism and the space-charge-limited current (SCLC) conduction mechanism under different resistance states. The positive electric field increases the oxygen vacancy V density in the depletion region of the nanorods surface, and improves the electron-transfer conductive filament channel. The device realizes the transition from the high resistance state to the low resistance state, and the conduction channel breaks under the action of reverse voltage. The device recovers to a high resistance state.
【作者單位】： 天津理工大學(xué)材料物理研究所光電器件與顯示材料教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室天津市光電顯示材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;天津職業(yè)技術(shù)師范大學(xué)理學(xué)院;
【基金】：863國(guó)家高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃(2013AA014201) 天津市自然科學(xué)基金(14JCZDJC31200,15JCYBJC16800,15JCYBJC16700) 國(guó)家重大儀器設(shè)備開(kāi)發(fā)專項(xiàng)(2014YQ120351) 天津市科技計(jì)劃國(guó)際合作項(xiàng)目(14RCGHGX00872)資助
【分類號(hào)】：TP333

【參考文獻(xiàn)】

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【共引文獻(xiàn)】

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2 石慶良;徐建萍;王雪亮;王有為;姜立芳;朱明雪;洪源;李嵐;;PbS納米晶修飾的ZnO/PVP復(fù)合電雙穩(wěn)器件阻變機(jī)制[J];發(fā)光學(xué)報(bào);2014年07期

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【二級(jí)參考文獻(xiàn)】

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7 韓應(yīng)哲,張延p，

本文編號(hào)：2226480