【摘要】：為提高傳統(tǒng)糾檢錯(error detection and correction,EDAC)模塊對星載SRAM中單粒子多位翻轉(zhuǎn)(multiple bit upsets,MBU)的糾錯率,提出一種能同時糾正多比特位翻轉(zhuǎn)的技術,稱為數(shù)據(jù)交錯技術。參照版圖交錯法的原理,在FPGA的軟件設計等級實現(xiàn)數(shù)據(jù)的交錯存儲,將單粒子的多位翻轉(zhuǎn)分離后,分別通過EDAC模塊糾正。仿真結果表明,該數(shù)據(jù)交錯技術與(12,8)漢明碼及(21,16)漢明碼結合后,可將傳統(tǒng)EDAC模塊對單粒子引起的兩位及三位翻轉(zhuǎn)的糾錯率從53.69%及28.91%提升至99.82%,以較低代價,實現(xiàn)了MBU大部分翻轉(zhuǎn)形式的糾正。
[Abstract]:In order to improve the error correction rate of the traditional (error detection and correction / EDACs module for single-particle multi-bit flipping (multiple bit upups MBU in spaceborne SRAM, a technique that can correct multi-bit flipping simultaneously is proposed, which is called data interleaving technique. According to the principle of the layout interleaving method, the data is stored interlaced at the software design level of FPGA. After the multi-bit flipping of single particle is separated, the data is corrected by the EDAC module. The simulation results show that by combining the data interleaving technique with (128) hamming code and (21 / 16) hamming code, the error correction rate of the traditional EDAC module for single particle flip can be increased from 53.69% and 28.91% to 99.82%, at a lower cost. The correction of most flip forms of MBU is realized.
【作者單位】： 中國航天科工集團第二研究院706所;
【基金】：***國家863計劃課題(編號2014AA********)
【分類號】：V446;TP333

【參考文獻】

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【共引文獻】

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本文編號：2187040