【摘要】：采用磁控濺射和光刻技術(shù)制備了阻變層為鈦摻雜氧化鉿的阻變存儲(chǔ)器件(RRAM),研究氮?dú)夂脱鯕庵型嘶鹛幚砉に噷?duì)其阻變性能的影響規(guī)律.結(jié)果表明氮?dú)馔嘶鸸に嚹茱@著提高ITO/Hf Ti O/Pt器件的阻變性能.與制備態(tài)相比,氮?dú)馔嘶鸷蟠鎯?chǔ)器的阻變窗口增大,阻變參數(shù)的分散性變好;而氧氣退火后阻變性能變差.為探索不同退火氣氛對(duì)RRAM性能的影響機(jī)制,我們結(jié)合電流-電壓(I-V)擬合機(jī)制和光電子能譜(XPS)分析,可以推斷出ITO/Hf Ti O/Pt器件的阻變性能來(lái)源于阻變層中的氧空位形成的導(dǎo)電細(xì)絲,氮?dú)馔嘶鹩欣趯?dǎo)電細(xì)絲的形成和斷裂,所以能夠優(yōu)化器件的阻變性能.
[Abstract]:Magnetron sputtering and photolithography were used to fabricate the barrier memory device (RRAM),) with titanium doped hafnium oxide. The effect of annealing process in nitrogen and oxygen on the resistance performance of the device was studied. The results show that the resistance of ITO/Hf Ti O/Pt devices can be improved by nitrogen annealing process. Compared with the prepared state, the resistance window of the memory increases after the nitrogen annealing, and the dispersion of the resistance parameters becomes better, while the resistance performance of the oxygen annealing becomes worse. In order to explore the influence mechanism of different annealing atmosphere on RRAM performance, combining the current-voltage (I-V) fitting mechanism and photoelectron spectroscopy (XPS) analysis, we can infer that the resistance property of ITO/Hf Ti O/Pt device is derived from the conductive filament formed by oxygen vacancy in the resistive layer. Nitrogen annealing is conducive to the formation and fracture of conductive filament, so it can optimize the resistance of the device.
【作者單位】： 有機(jī)化工新材料湖北省協(xié)同創(chuàng)新中心湖北大學(xué)物理與電子科學(xué)學(xué)院湖北省鐵電壓電材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(批準(zhǔn)號(hào):61474039;11204070) 湖北省自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目(批準(zhǔn)號(hào):2015CFA052)資助
【分類號(hào)】：TP333

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【共引文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：2171001