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基于動態(tài)目標阻抗的DDR3電源完整性仿真

發(fā)布時間:2018-07-12 17:49

  本文選題:DRRDIMM + 電源完整性 ; 參考:《計算機工程與科學(xué)》2014年03期


【摘要】:DDR3存儲器已經(jīng)成為目前服務(wù)器和計算機系統(tǒng)的主流應(yīng)用,雖然DDR3采用雙參考電壓、片上校準引擎、動態(tài)ODT、fly-by拓撲以及write-leveling等技術(shù)在一定程度上提高了信號完整性,但高數(shù)據(jù)率DDR3的設(shè)計實現(xiàn)仍然比較困難。由于DDR3總線屬于高速并行總線,同步開關(guān)噪聲與電源本身的噪聲耦合在一起,共同影響數(shù)據(jù)信號的質(zhì)量?紤]到芯片實際工作電流并非恒定不變,而是一種動態(tài)變化的頻率相關(guān)源,提出了一種新的基于目標阻抗與動態(tài)目標阻抗的混合仿真與設(shè)計流程,在前仿真階段采用恒定目標阻抗,在后仿真階段采用動態(tài)目標阻抗為設(shè)計目標,仿真結(jié)果證實了該方法的有效性,實現(xiàn)了設(shè)計優(yōu)化速度與精度的權(quán)衡折衷。
[Abstract]:DDR3 memory has become the mainstream application of server and computer system. Although DDR3 uses dual reference voltage, on-chip calibration engine, dynamic ODTTfly-by topology and write-leveling to a certain extent, the signal integrity is improved. However, the design and implementation of high data rate DDR 3 is still difficult. Because DDR3 bus belongs to high speed parallel bus, the synchronous switching noise is coupled with the noise of the power supply itself, which affects the quality of the data signal together. Considering that the actual working current of the chip is not constant, but a dynamic frequency dependent source, a new hybrid simulation and design flow based on target impedance and dynamic target impedance is proposed. The constant target impedance is used in the pre-simulation phase and the dynamic target impedance is used as the design objective in the post-simulation stage. The simulation results show that the method is effective and the tradeoff between the speed and precision of the design optimization is achieved.
【作者單位】: 國防科學(xué)技術(shù)大學(xué)計算機學(xué)院;
【基金】:國家自然科學(xué)基金資助項目(60873212)
【分類號】:TP333

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9 王銀s,

本文編號:2117993


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