本文選題：相變存儲器 + set��； 參考：《半導(dǎo)體光電》2014年01期

【摘要】：相變存儲器單元的測試主要包括set、reset和read操作,目前國內(nèi)外多采用施加電壓脈沖的方法對相變存儲單元進行reset操作,這不僅容易造成器件的損壞,而且使得相變過程中瞬態(tài)電流的準(zhǔn)確計算非常困難。與常規(guī)測試方法不同,文章提出一種專門針對相變存儲器的電流脈沖測試系統(tǒng),該系統(tǒng)可以提供準(zhǔn)確可控的電流脈沖來對相變存儲器器件單元進行操作。
[Abstract]:The test of phase change memory cell mainly includes setreset and read operation. At present, the method of applying voltage pulse is used to perform reset operation on phase change memory cell at home and abroad, which is not only easy to cause damage to the device. Moreover, it is very difficult to calculate the transient current accurately in the process of phase transition. Different from conventional testing methods, this paper presents a current pulse testing system for phase change memory, which can provide accurate and controllable current pulses to operate phase change memory devices.
【作者單位】： 中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所信息功能材料國家重點實驗室;中國科學(xué)院大學(xué);
【基金】：國家“973”計劃項目(2011CB9328004,2010CB934300,2011CBA00607) 國家集成電路重大專項項目(2009ZX02023-003) 國家自然科學(xué)基金項目(60906004,60906003,61006087,61076121,61176122,61106001) 上海市科委項目(11DZ2261000,1052nm07000,11QA1407800) 中國科學(xué)院資助項目(20110490761)
【分類號】：TP333

【參考文獻(xiàn)】

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【共引文獻(xiàn)】

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【二級參考文獻(xiàn)】

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本文編號：2109881