本文選題：相變存儲(chǔ)器 + set　； 參考：《半導(dǎo)體光電》2014年01期

【摘要】：相變存儲(chǔ)器單元的測(cè)試主要包括set、reset和read操作,目前國(guó)內(nèi)外多采用施加電壓脈沖的方法對(duì)相變存儲(chǔ)單元進(jìn)行reset操作,這不僅容易造成器件的損壞,而且使得相變過(guò)程中瞬態(tài)電流的準(zhǔn)確計(jì)算非常困難。與常規(guī)測(cè)試方法不同,文章提出一種專(zhuān)門(mén)針對(duì)相變存儲(chǔ)器的電流脈沖測(cè)試系統(tǒng),該系統(tǒng)可以提供準(zhǔn)確可控的電流脈沖來(lái)對(duì)相變存儲(chǔ)器器件單元進(jìn)行操作。
[Abstract]:The test of phase change memory cell mainly includes setreset and read operation. At present, the method of applying voltage pulse is used to perform reset operation on phase change memory cell at home and abroad, which is not only easy to cause damage to the device. Moreover, it is very difficult to calculate the transient current accurately in the process of phase transition. Different from conventional testing methods, this paper presents a current pulse testing system for phase change memory, which can provide accurate and controllable current pulses to operate phase change memory devices.
【作者單位】： 中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所信息功能材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;中國(guó)科學(xué)院大學(xué);
【基金】：國(guó)家“973”計(jì)劃項(xiàng)目(2011CB9328004,2010CB934300,2011CBA00607) 國(guó)家集成電路重大專(zhuān)項(xiàng)項(xiàng)目(2009ZX02023-003) 國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(60906004,60906003,61006087,61076121,61176122,61106001) 上海市科委項(xiàng)目(11DZ2261000,1052nm07000,11QA1407800) 中國(guó)科學(xué)院資助項(xiàng)目(20110490761)
【分類(lèi)號(hào)】：TP333

【參考文獻(xiàn)】

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【共引文獻(xiàn)】

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【二級(jí)參考文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：2109881