片上存儲器單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)診斷及修復(fù)
本文選題:Zynq- + 片上存儲器; 參考:《核電子學與探測技術(shù)》2017年02期
【摘要】:研究了Zynq-7000片上存儲器(OCM)的單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)(SEU),進行了SEU的診斷設(shè)計,可以及時診斷出OCM中發(fā)生SEU的具體位置以及具體數(shù)據(jù)位,能夠?qū)崿F(xiàn)對發(fā)生于OCM中的單位翻轉(zhuǎn)和多位翻轉(zhuǎn)診斷;進行了SEU修復(fù)的設(shè)計,可以準確地修復(fù)OCM中發(fā)生的SEU。能夠利用較少的空間資源占用和運行時間實現(xiàn)OCM中SEU百分之百的診斷和修復(fù)。
[Abstract]:The single particle flip effect (SEU) of Zynq-7000 on-chip memory (OCM) is studied, and the diagnosis design of SEU is carried out. The location and data bit of SEU in OCM can be diagnosed in time, and the unit flipping and multi-bit flipping in OCM can be realized. The design of SEU repair is carried out, which can accurately repair the SEUU in OCM. SEU diagnosis and repair in OCM can be achieved by using less space resources and running time.
【作者單位】: 西安交通大學;
【基金】:國家自然科學基金資助項目(11575138)
【分類號】:TP333
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,本文編號:2094768
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