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新型非易失性存儲(chǔ)器架構(gòu)的緩存優(yōu)化方法綜述

發(fā)布時(shí)間:2018-06-28 12:33

  本文選題:非易失性存儲(chǔ)器 + 存儲(chǔ)技術(shù)。 參考:《計(jì)算機(jī)研究與發(fā)展》2015年06期


【摘要】:隨著半導(dǎo)體工藝的發(fā)展,處理器集成的片上緩存越來(lái)越大,傳統(tǒng)存儲(chǔ)器件的漏電功耗問(wèn)題日益嚴(yán)峻,如何設(shè)計(jì)高能效的片上存儲(chǔ)架構(gòu)已成為重要挑戰(zhàn).為解決這些問(wèn)題,國(guó)內(nèi)外研究者討論了大量的新型非易失性存儲(chǔ)技術(shù),它們具有非易失性、低功耗和高存儲(chǔ)密度等優(yōu)良特性.為探索spintransfer torque RAM(STT-RAM),phase change memory(PCM),resistive RAM(RRAM)和domainwall memory(DWM)四種新型非易失性存儲(chǔ)器(non-volatile memory,NVM)架構(gòu)緩存的方法,對(duì)比了其與傳統(tǒng)存儲(chǔ)器件的物理特性,討論了其架構(gòu)緩存的優(yōu)缺點(diǎn)和適用性,重點(diǎn)分類(lèi)并總結(jié)了其架構(gòu)緩存的優(yōu)化方法和策略,分析了其中針對(duì)新型非易失性存儲(chǔ)器寫(xiě)功耗高、寫(xiě)壽命有限和寫(xiě)延遲長(zhǎng)等缺點(diǎn)所作出的關(guān)鍵優(yōu)化技術(shù),最后探討了新型非易失性存儲(chǔ)器件在未來(lái)緩存優(yōu)化中可能的研究方向.
[Abstract]:With the development of semiconductor technology, the on-chip buffer of processor integration becomes larger and larger, and the leakage power problem of traditional memory devices becomes more and more serious. How to design high energy efficiency on-chip memory architecture has become an important challenge. In order to solve these problems, researchers at home and abroad have discussed a large number of new non-volatile storage technologies, which have the advantages of non-volatile, low power consumption and high storage density. In order to explore the four methods of spintransfer torque RAM (STT-RAM) phase change memory (PCM (spintransfer torque RAM) resistive RAM (RRAM) and domainwall memory (DWM), the physical characteristics of non-volatile memory are compared with those of traditional memory devices, and the advantages and disadvantages and applicability of the architecture cache are discussed. This paper mainly classifies and summarizes the optimization methods and strategies of the architecture cache, and analyzes the key optimization techniques for the new non-volatile memory, such as high write power consumption, limited write life and long write delay. Finally, the possible research direction of new nonvolatile memory devices in the future buffer optimization is discussed.
【作者單位】: 武漢大學(xué)計(jì)算機(jī)學(xué)院;軟件工程國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室(武漢大學(xué));東華理工大學(xué)軟件學(xué)院;合肥工業(yè)大學(xué)計(jì)算機(jī)與信息學(xué)院;
【基金】:國(guó)家自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目(91118003);國(guó)家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目(61170022,61373039) 國(guó)家自然科學(xué)青年基金項(xiàng)目(61402145) 高等學(xué)校博士學(xué)科點(diǎn)專(zhuān)項(xiàng)科研基金項(xiàng)目(2013014111002512) 安徽省自然科學(xué)青年基金項(xiàng)目(1508085QF138)
【分類(lèi)號(hào)】:TP333

【參考文獻(xiàn)】

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本文編號(hào):2078013

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