本文選題：浮柵器件 + EEPROM��； 參考：《原子能科學(xué)技術(shù)》2014年S1期

【摘要】：對(duì)3種不同容量的EEPROM開展了"強(qiáng)光一號(hào)"瞬時(shí)劑量率效應(yīng)實(shí)驗(yàn)研究,測量電路的劑量率閂鎖特性、高劑量率輻照下的數(shù)據(jù)保持能力及電路功能。輻照前,利用編程器在EEPROM中全地址寫入55H,加電輻照,測量輻照后的電源電流;輻照后,再利用編程器對(duì)EEPROM的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)及讀寫功能進(jìn)行測量。研究結(jié)果表明:EEPROM在瞬時(shí)輻照下,主要表現(xiàn)為外圍電路的劑量率閂鎖效應(yīng);在1.0×109 Gy(Si)/s的高劑量率輻照下,3種電路存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)保持完好,未發(fā)生變化,存儲(chǔ)器的擦除、編程及讀出功能正常。給出了3種EEPROM電路的劑量率閂鎖閾值,并對(duì)EEPROM的瞬時(shí)劑量率效應(yīng)特點(diǎn)進(jìn)行了分析。
[Abstract]:In this paper, three kinds of EEPROM with different capacities have been studied. The instantaneous dose rate effect of "strong light 1" has been studied. The latch characteristics of dose rate, the data retention ability and the circuit function under high dose rate irradiation have been measured. Before irradiation, the full address of EEPROM is written at 55H by the programmer, and the power current after irradiation is measured by adding electricity. After irradiation, the stored data and read and write functions of EEPROM are measured by the programmer. The results show that under instantaneous irradiation, the weight EEPROM mainly exhibits the dose rate latch effect of peripheral circuits, and the stored data of three circuits under high dose rate irradiation of 1.0 脳 109 Gy / s keeps intact and does not change, and the memory is erased. Programming and readout function is normal. The latch threshold of three EEPROM circuits is given and the characteristics of instantaneous dose-rate effect of EEPROM are analyzed.
【作者單位】： 西北核技術(shù)研究所強(qiáng)脈沖輻射環(huán)境模擬與效應(yīng)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：裝備預(yù)先研究項(xiàng)目資助
【分類號(hào)】：TP333

【參考文獻(xiàn)】

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【共引文獻(xiàn)】

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【二級(jí)參考文獻(xiàn)】

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