本文選題：電荷泵 + 輸出電壓自動調(diào)節(jié)　； 參考：《微電子學》2015年03期

【摘要】：提出一種應用于相變存儲器芯片的新型開關電容電荷泵。對于16位的相變存儲器芯片,系統(tǒng)擦寫時間大于100ns,電荷泵的驅(qū)動能力至少為60mA。相比于傳統(tǒng)開關電容電荷泵,該電荷泵根據(jù)負載電流大小自動生成一個使能信號,該信號通過控制升壓模塊功率管的開啟與關斷來調(diào)節(jié)輸出電壓,最終將輸出電壓控制在一個允許的范圍內(nèi)波動。采用40nm CMOS工藝對電荷泵進行設計和仿真,結(jié)果表明在5mA負載時,電源效率為87%,輸出紋波為2.84mV;負載電流從0mA變化到60mA時,電源效率皆高于82%;負載電流變化在300mA/μs時,輸出瞬態(tài)響應時間為1.63μs,滿足相變存儲器芯片的使用要求。
[Abstract]:A novel switched capacitor charge pump for phase change memory chip is proposed. For the 16-bit phase change memory chip, the system writing time is more than 100ns, and the driving capacity of the charge pump is at least 60 Ma. Compared with the conventional switched capacitor charge pump, the charge pump automatically generates an enabling signal according to the load current, which adjusts the output voltage by controlling the switching off and opening of the booster module power tube. The output voltage is ultimately controlled to fluctuate within an allowable range. The charge pump is designed and simulated by 40nm CMOS process. The results show that the power efficiency is 87, the output ripple is 2.84 MV, the power efficiency is higher than 82when the load current changes from 0mA to 60mA, and the load current changes at 300mA/ 渭 s. The transient response time of output is 1.63 渭 s, which meets the requirement of phase change memory chip.
【作者單位】： 中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所信息功能材料國家重點實驗室;
【基金】：國家重點基礎研究發(fā)展計劃(2010CB934300,2013CBA01900,2011CBA00607,2011CB932804) 國家自然科學基金資助項目(61076121,61176122,61106001,61261160500,61376006) 上海市科委資助項目(11DZ2261000,12nm0503701,12QA1403900,13ZR1447200,13DZ2295700) 國家集成電路重大專項(2009ZX02023-003)
【分類號】：TP333

【參考文獻】

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本文編號：1958411