本文選題：電荷泵 + 輸出電壓自動(dòng)調(diào)節(jié)　； 參考：《微電子學(xué)》2015年03期

【摘要】：提出一種應(yīng)用于相變存儲(chǔ)器芯片的新型開(kāi)關(guān)電容電荷泵。對(duì)于16位的相變存儲(chǔ)器芯片,系統(tǒng)擦寫(xiě)時(shí)間大于100ns,電荷泵的驅(qū)動(dòng)能力至少為60mA。相比于傳統(tǒng)開(kāi)關(guān)電容電荷泵,該電荷泵根據(jù)負(fù)載電流大小自動(dòng)生成一個(gè)使能信號(hào),該信號(hào)通過(guò)控制升壓模塊功率管的開(kāi)啟與關(guān)斷來(lái)調(diào)節(jié)輸出電壓,最終將輸出電壓控制在一個(gè)允許的范圍內(nèi)波動(dòng)。采用40nm CMOS工藝對(duì)電荷泵進(jìn)行設(shè)計(jì)和仿真,結(jié)果表明在5mA負(fù)載時(shí),電源效率為87%,輸出紋波為2.84mV;負(fù)載電流從0mA變化到60mA時(shí),電源效率皆高于82%;負(fù)載電流變化在300mA/μs時(shí),輸出瞬態(tài)響應(yīng)時(shí)間為1.63μs,滿足相變存儲(chǔ)器芯片的使用要求。
[Abstract]:A novel switched capacitor charge pump for phase change memory chip is proposed. For the 16-bit phase change memory chip, the system writing time is more than 100ns, and the driving capacity of the charge pump is at least 60 Ma. Compared with the conventional switched capacitor charge pump, the charge pump automatically generates an enabling signal according to the load current, which adjusts the output voltage by controlling the switching off and opening of the booster module power tube. The output voltage is ultimately controlled to fluctuate within an allowable range. The charge pump is designed and simulated by 40nm CMOS process. The results show that the power efficiency is 87, the output ripple is 2.84 MV, the power efficiency is higher than 82when the load current changes from 0mA to 60mA, and the load current changes at 300mA/ 渭 s. The transient response time of output is 1.63 渭 s, which meets the requirement of phase change memory chip.
【作者單位】： 中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所信息功能材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：國(guó)家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計(jì)劃(2010CB934300,2013CBA01900,2011CBA00607,2011CB932804) 國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(61076121,61176122,61106001,61261160500,61376006) 上海市科委資助項(xiàng)目(11DZ2261000,12nm0503701,12QA1403900,13ZR1447200,13DZ2295700) 國(guó)家集成電路重大專項(xiàng)(2009ZX02023-003)
【分類(lèi)號(hào)】：TP333

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本文編號(hào)：1958411