本文選題：存儲器 + DDR��； 參考：《電光與控制》2014年06期

【摘要】：迄今為止,SDRAM存儲器的擴(kuò)容完全依賴于半導(dǎo)體工藝水平的升級,而提速取決于對時鐘的利用方式。DDR3 SDRAM已達(dá)8倍速率,再提速已很困難。提出一種新型串行訪問的SDDR存儲器結(jié)構(gòu)和片內(nèi)串行只寫總線,將DDR存儲器封裝成消息連接的構(gòu)件,將訪問存儲器的命令、地址和數(shù)據(jù)等信息打成消息報包,經(jīng)片內(nèi)串行只寫總線與構(gòu)件化的DDR存儲器交換信息。SDDR存儲器減少了引腳,連接簡單并且抗干擾能力強(qiáng)、可靠性高,易于擴(kuò)容和進(jìn)一步提升時鐘速率,具有明顯的實用前景。
[Abstract]:Up to now, the expansion of SDRAM memory depends entirely on the upgrading of semiconductor process level, and the speed up depends on the use of clock. DDR3 SDRAM has reached 8 times the rate, so it is very difficult to speed up again. A new type of serial access SDDR memory structure and on-chip serial write-only bus are proposed. The DDR memory is encapsulated into a message connection component, and the commands, addresses and data of the access memory are packed into a Sabbath packet. The exchange of information with component-based DDR memory via on-chip serial write-only bus reduces pin, easy connection, strong anti-interference ability, high reliability, easy to expand capacity and further increase clock rate, and has obvious practical prospects.
【作者單位】： 太原理工大學(xué)信息工程學(xué)院;
【分類號】：TP333

【參考文獻(xiàn)】

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【共引文獻(xiàn)】

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本文編號：1918275