發(fā)布時間：2018-05-21 01:22

  本文選題：非易失性 + OTP存儲器　； 參考：《蘇州大學》2013年碩士論文

【摘要】：本文基于eMemory公司的邏輯工藝OTP單元，設計了一個存儲密度為1K×13bits的OTP存儲器，數(shù)據(jù)寬度為16bits，工作電壓范圍為2V到5.5V，電源電壓3V以上時讀取時間不超過100ns，編程時間不超過30μs，讀取電流不超過2mA，靜態(tài)電流典型值為1μA。 本文首先介紹了OTP存儲器的發(fā)展背景和研究進展。然后分析了OTP存儲單元的工作機制，，對比研究了兩種存儲陣列結構，完成了內(nèi)核架構的設計。在電路設計方面，本文詳細介紹了OTP存儲器各功能模塊的工作原理及設計方法，重點設計了電路電壓產(chǎn)生模塊，采用帶隙基準電路來對電源電壓進行校準得到讀取電壓，同時完成了對各個模塊仿真與分析。接著本文根據(jù)設計原理圖完成了整體電路的版圖設計和整體電路的讀寫仿真。最后對整體設計過程中遇到的幾個重點問題進行了分析和解決。 本課題是在0.18μm標準CMOS工藝5V器件模型上完成的設計，目前國內(nèi)較少報道。本次設計的OTP存儲器IP在成本和工藝復雜度等方面都具有優(yōu)勢，而且可以滿足2V到5.5V的電源電壓工作范圍。
[Abstract]:Based on the logical process OTP unit of eMemory Company, a OTP memory with storage density of 1K 脳 13bits is designed in this paper. The data width is 16 bits, the working voltage range is from 2 V to 5.5 V, the reading time is not more than 100 ns, the programming time is not more than 30 渭 s, the reading current is not more than 2 Ma, the typical static current is 1 渭 A. This paper first introduces the development background and research progress of OTP memory. Then, the working mechanism of OTP memory cell is analyzed, two storage array structures are compared and the kernel architecture is designed. In the aspect of circuit design, this paper introduces the working principle and design method of each function module of OTP memory in detail. The circuit voltage generation module is designed emphatically. The bandgap reference circuit is used to calibrate the power supply voltage to get the read voltage. At the same time, the simulation and analysis of each module are completed. Then, according to the schematic diagram, the layout of the whole circuit and the simulation of the whole circuit are completed. Finally, several key problems encountered in the whole design process are analyzed and solved. The design of 5V device model based on 0.18 渭 m standard CMOS process is presented in this paper. The OTP memory IP designed in this paper has advantages in cost and process complexity, and can meet the operating range of 2V to 5.5V power supply voltage.
【學位授予單位】：蘇州大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2013
【分類號】：TP333;TN402

【參考文獻】

相關期刊論文 前3條

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2 李力;閃速存儲器技術現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢[J];單片機與嵌入式系統(tǒng)應用;2001年08期

3 古亮,邵丙銑;EEPROM中浮柵MOS晶體管閾值電壓的研究[J];固體電子學研究與進展;1997年02期

相關碩士學位論文 前2條

1 馬飛;基于標準CMOS工藝的OTP存儲器的設計與研究[D];西安電子科技大學;2009年

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本文編號：1917106