本文選題：靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM) + 低功耗��； 參考：《高技術(shù)通訊》2014年02期

【摘要】：給出了一種設(shè)計(jì)低功耗靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的技術(shù),實(shí)現(xiàn)了在電路級(jí)與架構(gòu)級(jí)層次上同時(shí)降低漏電流與動(dòng)態(tài)功耗。該技術(shù)采用源極偏壓結(jié)構(gòu)控制漏電流,將一個(gè)鉗位二極管與NMOS管并聯(lián)插入GND與SRAM單元的源極之間,當(dāng)NMOS打開時(shí)SRAM進(jìn)行正常的讀寫操作,而NMOS關(guān)閉則會(huì)將源極電壓抬高至鉗位電壓,降低漏電流的同時(shí)保證了數(shù)據(jù)的穩(wěn)定性;對(duì)SRAM結(jié)構(gòu)進(jìn)行獨(dú)特的布局,引入Z譯碼電路,極大地減少每次操作時(shí)激活的存儲(chǔ)單元數(shù)量,明顯降低動(dòng)態(tài)功耗;將power-gating技術(shù)與高閾值(highV_(th))器件相結(jié)合的低功耗設(shè)計(jì)應(yīng)用于外圍電路,進(jìn)一步降低漏電流�；赨MC 55nm SP CMOS工藝制造了包含多個(gè)SRAM實(shí)例(instance)的測(cè)試芯片,測(cè)試結(jié)果證明了該技術(shù)的有效性與可靠性。
[Abstract]:A low power consumption static random access memory ( SRAM ) is designed to reduce leakage current and dynamic power consumption at the same time .

【作者單位】： 蘇州大學(xué)城市軌道交通學(xué)院;蘇州秉亮科技有限公司;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(61272105,61076102)資助項(xiàng)目
【分類號(hào)】：TP333

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本文編號(hào)：1888464