本文選題：柔性低電壓有機晶體管存儲器 + 雙浮柵存儲�。� 參考：《南京郵電大學(xué)》2017年碩士論文

【摘要】：柔性低電壓器件憑借其低能耗,低成本以及可大面積加工等優(yōu)點已經(jīng)引起了廣泛的關(guān)注,存儲器用作數(shù)據(jù)處理和信息存儲已經(jīng)成為電子系統(tǒng)的關(guān)鍵分支,因此柔性低電壓有機場效應(yīng)晶體管的研究對于電子領(lǐng)域的發(fā)展有著重要的影響。我們組已經(jīng)可以在柔性襯底PET上成功實現(xiàn)低電壓晶體管的制備。不過不同的介電層對器件電學(xué)性能有很大的影響,因此我們在原有組內(nèi)工作基礎(chǔ)之上,對晶體管的介電層材料以及晶體管的結(jié)構(gòu)均作了詳細的研究。在制備出性能較好的柔性低電壓晶體管之后,我們嘗試著在晶體管基礎(chǔ)之上增加適當(dāng)?shù)拇鎯Σ牧蟻韺崿F(xiàn)低電壓存儲。通過我們各種探索發(fā)現(xiàn)一些存儲材料例如金屬納米粒子以及小分子半導(dǎo)體材料均可在低電壓下實現(xiàn)正向存儲,但很難在反向低電壓下實現(xiàn)擦除過程;另一種光穩(wěn)定劑有機物944在低電壓可以實現(xiàn)負(fù)向存儲,不過維持時間并不是很好。為了能夠?qū)崿F(xiàn)存儲性能優(yōu)越的存儲器的制備,我們采用了兩種存儲材料來制備雙浮柵柔性低電壓場效應(yīng)晶體管存儲器。我們利用小分子半導(dǎo)體材料C60對電子的捕獲作用,再利用另一種材料944對空穴的捕獲作用,在擦除過程中944捕獲的空穴與電子中和,從而成功地實現(xiàn)了可擦寫非易失性閃存低電壓存儲器。緊接著我們對該存儲器的機械穩(wěn)定性作了一系列的研究,無論垂直溝道彎曲還是垂直溝道彎曲,其電學(xué)特性和存儲特性均不會發(fā)生明顯的衰減。
[Abstract]:Flexible low-voltage devices have attracted wide attention due to their advantages of low energy consumption, low cost and large area processing. Memory has become a key branch of electronic systems as data processing and information storage. Therefore, the research of flexible low-voltage field-effect transistors has an important impact on the development of electronic field. Our group has been able to successfully fabricate low voltage transistors on flexible substrate PET. However, different dielectric layers have a great influence on the electrical properties of the devices. Therefore, the dielectric layer materials and the structure of the transistors are studied in detail on the basis of the working in the original group. After the fabrication of flexible low-voltage transistors with good performance, we try to add appropriate storage materials to the transistors to realize low-voltage storage. We find that some storage materials such as metal nanoparticles and small molecular semiconductors can achieve forward storage at low voltage, but it is difficult to achieve erasure at low reverse voltage. Another light stabilizer, organic 944, can be used for negative storage at low voltage, but the retention time is not very good. In order to fabricate the memory with superior storage performance, two kinds of storage materials are used to fabricate the double floating gate flexible low-voltage field-effect transistor memory. We use the small molecular semiconductor material C60 to capture electrons, and another material, 944, to trap holes, and neutralize the holes and electrons captured by 944 during the erasing process. Thus the erasable non-volatile flash low voltage memory is successfully realized. Then we do a series of research on the mechanical stability of the memory. No matter the vertical channel bending or the vertical channel bending, the electrical and storage characteristics of the memory will not attenuate significantly.
【學(xué)位授予單位】：南京郵電大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2017
【分類號】：TN386;TP333

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本文編號：1884833