發(fā)布時(shí)間：2018-05-05 20:09

  本文選題：三維存儲(chǔ)器 + 內(nèi)建自修復(fù)�。� 參考：《計(jì)算機(jī)學(xué)報(bào)》2017年09期

【摘要】：在摩爾定律面臨終結(jié)的趨勢(shì)下,三維集成電路技術(shù)被認(rèn)為是繼續(xù)提升集成電路性能和集成度的重要技術(shù)途徑之一.由于采用堆疊的結(jié)構(gòu),三維集成電路適用于高密度以及異質(zhì)集成應(yīng)用領(lǐng)域.存儲(chǔ)器是高密度集成電路的典型代表,是三維集成電路的重要應(yīng)用方向之一.三維存儲(chǔ)器技術(shù)可同時(shí)提高存儲(chǔ)密度與訪存通路帶寬,是解決"存儲(chǔ)墻"問題的一種可行技術(shù)途徑.然而,由于存儲(chǔ)器件尺寸的微縮,存儲(chǔ)陣列中的故障存儲(chǔ)單元數(shù)量呈增加趨勢(shì).對(duì)存儲(chǔ)器產(chǎn)品,基于冗余存儲(chǔ)資源的內(nèi)建自修復(fù)技術(shù)是提高其可靠性的重要方法.三維存儲(chǔ)器的層與層之間可通過硅通孔等技術(shù)實(shí)現(xiàn)互連,使得垂直方向上的冗余資源共享成為可能,從而改善三維存儲(chǔ)器的可靠性.該文提出一種鄰近層共享冗余的三維存儲(chǔ)器修復(fù)策略,用以提高現(xiàn)有三維存儲(chǔ)器內(nèi)建自修復(fù)技術(shù)的故障修復(fù)能力.該策略不會(huì)引發(fā)死鎖現(xiàn)象,具有良好的冗余資源利用率和較小的硅通孔面積代價(jià).仿真結(jié)果表明,與已有的結(jié)對(duì)冗余策略相比,該文所提出的冗余共享策略具有更高的故障修復(fù)率,且故障修復(fù)率不隨存儲(chǔ)器層數(shù)的增加而顯著下降,更適用于大規(guī)模三維存儲(chǔ)器.
[Abstract]:In the face of the end of Moore's law, 3D integrated circuit technology is considered as one of the most important ways to improve the performance and integration of integrated circuits. Because of the stacked structure, 3D integrated circuits are suitable for high density and heterogeneous integrated applications. Memory is a typical representative of high-density integrated circuits and one of the important applications of three-dimensional integrated circuits. Three-dimensional memory technology can increase both storage density and memory access bandwidth, which is a feasible way to solve the problem of "storage wall". However, the number of faulty memory cells in memory arrays tends to increase due to the microscale of memory devices. For memory products, built-in self-repair based on redundant storage resources is an important method to improve its reliability. The layers of 3D memory can be interconnected by silicon through hole technology, which makes it possible to share redundant resources in vertical direction, thus improving the reliability of 3D memory. In this paper, a 3D memory repair strategy based on shared redundancy of adjacent layers is proposed to improve the fault repair capability of existing 3D memory built-in self-repair techniques. This strategy does not cause deadlock, and has good redundancy resource utilization and smaller silicon through area cost. The simulation results show that the proposed redundancy sharing strategy has a higher fault repair rate than the existing pairing redundancy strategy, and the fault repair rate does not decrease significantly with the increase of memory layers. It is more suitable for large scale 3D memory.
【作者單位】： 北京大學(xué)深圳研究生院集成微系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;北京大學(xué)微納電子研究院;
【基金】：國(guó)家“九七三”重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展規(guī)劃項(xiàng)目基金(2015CB057201) 廣東省自然科學(xué)基金(2015A030313147) 深圳市基礎(chǔ)研究項(xiàng)目(JCYJ20140417144423194,JCYJ20140417144423198)資助~~
【分類號(hào)】：TP333

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本文編號(hào)：1849121