本文選題：閃存生命周期 + 比特錯(cuò)誤率�。� 參考：《計(jì)算機(jī)工程與設(shè)計(jì)》2017年06期

【摘要】：為提升面向閃存的糾錯(cuò)碼設(shè)計(jì)方案的靈活性,降低編解碼延時(shí),提出一種自適應(yīng)糾錯(cuò)碼方案。建立閃存數(shù)據(jù)存儲(chǔ)等效信道模型,通過(guò)信道有效性參數(shù)建立比特錯(cuò)誤率與糾錯(cuò)碼糾錯(cuò)能力間量化評(píng)估關(guān)系;依據(jù)物理塊擦除次數(shù)及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)時(shí)間衡量其比特錯(cuò)誤率,結(jié)合設(shè)計(jì)者預(yù)期的信道有效性與待編碼信息組長(zhǎng)度,利用信道有效性分析結(jié)果,自動(dòng)為其適配糾錯(cuò)碼類(lèi)型、最大糾錯(cuò)能力及生成多項(xiàng)式系數(shù)等參數(shù)。以基于物理塊分類(lèi)的糾錯(cuò)碼設(shè)計(jì)方案為例,對(duì)比傳統(tǒng)糾錯(cuò)碼設(shè)計(jì)方案性能,對(duì)比結(jié)果表明,自適應(yīng)糾錯(cuò)碼方案在降低編解碼時(shí)間及冗余度方面具有明顯優(yōu)勢(shì)。
[Abstract]:In order to improve the flexibility of flash oriented error correction code design and reduce the coding and decoding delay, an adaptive error correction code scheme is proposed. The equivalent channel model of flash memory data storage is established, and the quantization evaluation relationship between bit error rate and error correction ability is established through channel validity parameters, and the bit error rate is measured according to the number of physical block erasures and the time of data storage. Combined with the expected channel validity and the length of the information group to be coded, the channel validity analysis results are used to automatically match the error correction code type, the maximum error correction ability and the generating polynomial coefficients. Taking the design scheme of error-correcting code based on physical block classification as an example, the performance of the traditional error-correcting code design scheme is compared. The results show that the adaptive error-correcting code scheme has obvious advantages in reducing coding and decoding time and redundancy.
【作者單位】： 信息工程大學(xué)三院四教;
【分類(lèi)號(hào)】：TP333

【相似文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 喬天熊;高天德;史伊朝;劉培洲;;基于Nios Ⅱ的NAND Flash控制器設(shè)計(jì)[J];計(jì)算機(jī)與數(shù)字工程;2014年08期

2 陳國(guó);高楊;;NAND Flash在大容量存儲(chǔ)技術(shù)中的應(yīng)用[J];航空計(jì)算技術(shù);2009年02期

3 寧飛;;大容量存儲(chǔ)中NAND Flash壞塊的管理方法[J];電子測(cè)試;2010年12期

4 朱知博;;基于NAND FLASH的高速大容量存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)[J];現(xiàn)代電子技術(shù);2011年08期

5 李華;賈振國(guó);;基于NAND FLASH的大容量視頻存儲(chǔ)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)[J];物聯(lián)網(wǎng)技術(shù);2012年02期

6 尹蕾;;NAND Flash固態(tài)存儲(chǔ)卡的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)[J];西安建筑科技大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版);2012年02期

7 賈源泉;肖儂;賴(lài)明澈;歐洋;;基于NAND FLASH的多路并行存儲(chǔ)系統(tǒng)中壞塊策略的研究[J];計(jì)算機(jī)研究與發(fā)展;2012年S1期

8 趙櫸云;張敬帥;;基于NAND Flash的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)[J];單片機(jī)與嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用;2012年01期

9 黃培花;;基于A(yíng)RM的NAND Flash數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)[J];濱州學(xué)院學(xué)報(bào);2012年03期

10 潘沁;周新志;魏剛;;磨損均衡算法在NAND Flash管理中的改進(jìn)[J];微計(jì)算機(jī)信息;2007年07期

相關(guān)會(huì)議論文 前1條

1 錢(qián)孝桃;張晉寧;;基于Nand Flash ECC校驗(yàn)的硬件語(yǔ)言相關(guān)實(shí)現(xiàn)法[A];中國(guó)電子學(xué)會(huì)第十五屆信息論學(xué)術(shù)年會(huì)暨第一屆全國(guó)網(wǎng)絡(luò)編碼學(xué)術(shù)年會(huì)論文集（上冊(cè)）[C];2008年

相關(guān)重要報(bào)紙文章 前1條

1 歐麗智;英特爾NAND Flash能否再創(chuàng)輝煌？[N];電子資訊時(shí)報(bào);2007年

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前4條

1 張雙武;軟件定義的PCM與NAND Flash融合存儲(chǔ)系統(tǒng)研究[D];華中科技大學(xué);2015年

2 張小平;嵌入式系統(tǒng)中NAND FLASH文件系統(tǒng)的研究[D];太原理工大學(xué);2010年

3 賈源泉;基于NAND FLASH的多路并行存儲(chǔ)系統(tǒng)的研究與實(shí)現(xiàn)[D];國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué);2011年

4 劉建梁;基于NAND Flash的多參數(shù)數(shù)據(jù)記錄器的研究與實(shí)現(xiàn)[D];中北大學(xué);2015年

，

本文編號(hào)：1827246