本文選題：存儲器 + 單粒子翻轉(zhuǎn)　； 參考：《微電子學(xué)與計算機(jī)》2014年09期

【摘要】：提出了一種基于NIOS II的異步SRAM單粒子效應(yīng)檢測系統(tǒng),用于評估抗輻射加固SRAM電路的抗單粒子效應(yīng)能力.該檢測系統(tǒng)可以對異步SRAM進(jìn)行四種工作模式下的動態(tài)和靜態(tài)檢測,利用該檢測系統(tǒng)在重離子加速器上對一款異步SRAM進(jìn)行了單粒子效應(yīng)試驗,獲得了5種離子的試驗數(shù)據(jù),統(tǒng)計分析后得到了器件的單粒子翻轉(zhuǎn)閾值、單粒子翻轉(zhuǎn)飽和截面和單粒子翻轉(zhuǎn)在軌錯誤率,并與國外同款電路進(jìn)行了對比,最后依據(jù)試驗結(jié)果給出了評估結(jié)論.
[Abstract]:An asynchronous SRAM single particle effect detection system based on NIOS II is proposed to evaluate the anti-single particle effect ability of SRAM circuits strengthened by radiation. The system can be used for dynamic and static detection of asynchronous SRAM in four working modes. A single particle effect test of an asynchronous SRAM is carried out on a heavy ion accelerator using the system, and the experimental data of five kinds of ions are obtained. After statistical analysis, the single particle turnover threshold, the saturation cross section of single particle flip and the error rate of single particle flip on orbit are obtained, and compared with the same circuit in foreign countries. Finally, the evaluation results are given according to the experimental results.
【作者單位】： 北京微電子技術(shù)研究所;
【分類號】：TP333

【相似文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 張崢;彭杰;范濤;黃強(qiáng);袁國順;;一款抗單粒子效應(yīng)的32位微處理的設(shè)計[J];微計算機(jī)信息;2010年08期

2 李玉紅;趙元富;岳素格;梁國朕;林任;;0.18μm工藝下單粒子加固鎖存器的設(shè)計與仿真[J];微電子學(xué)與計算機(jī);2007年12期

3 張英武;郭天雷;袁國順;;高可靠微處理器的設(shè)計[J];微電子學(xué)與計算機(jī);2009年01期

4 邢克飛;楊俊;季金明;;空間輻射效應(yīng)對SRAM型FPGA的影響[J];微電子學(xué)與計算機(jī);2006年12期

5 陳善強(qiáng);師立勤;;基于TCAD和Geant 4的SRAM單粒子效應(yīng)評估[J];空間科學(xué)學(xué)報;2011年04期

6 彭俊杰;黃慶成;洪炳昒;李瑞;袁成軍;魏振華;;通過純軟件的方法測試數(shù)字處理器的故障敏感性(英文)[J];宇航學(xué)報;2006年01期

7 陳曉華,賀朝會,王燕平;80C86單粒子效應(yīng)實驗研究[J];原子能科學(xué)技術(shù);2000年04期

8 陸虹,尹放,高杰;CMOS SRAM抗輻照加固電路設(shè)計技術(shù)研究[J];微處理機(jī);2005年05期

9 邢克飛;張傳勝;王京;楊俊;季金明;;數(shù)字信號處理器抗輻射設(shè)計技術(shù)研究[J];應(yīng)用基礎(chǔ)與工程科學(xué)學(xué)報;2006年04期

10 劉張李;鄒世昌;張正選;畢大煒;胡志遠(yuǎn);俞文杰;陳明;王茹;;浮柵存儲器的單粒子輻射效應(yīng)研究進(jìn)展[J];功能材料與器件學(xué)報;2010年05期

相關(guān)會議論文 前10條

1 張正選;李國政;羅晉生;陳曉華;姬琳;王燕萍;鞏玲華;;利用加速器重離子進(jìn)行SRAM單粒子效應(yīng)的研究[A];第9屆全國核電子學(xué)與核探測技術(shù)學(xué)術(shù)年會論文集[C];1998年

2 吾勤之;許導(dǎo)進(jìn);王晨;劉剛;蔡小五;韓鄭生;;SRAM存儲器單粒子效應(yīng)試驗研究[A];第十屆全國抗輻射電子學(xué)與電磁脈沖學(xué)術(shù)年會論文集[C];2009年

3 趙發(fā)展;郭天雷;劉剛;海潮和;韓鄭生;賀朝會;李永宏;;8K×8 SOI SRAM單粒子效應(yīng)實驗研究[A];第十屆全國抗輻射電子學(xué)與電磁脈沖學(xué)術(shù)年會論文集[C];2009年

4 高航;羅宇;;RTEMS上基于軟件重算的容錯支撐設(shè)計研究[A];2008年全國開放式分布與并行計算機(jī)學(xué)術(shù)會議論文集(下冊)[C];2008年

5 楊建偉;楊俊;邢克飛;張傳勝;;一種可重構(gòu)的空間信息處理平臺結(jié)構(gòu)設(shè)計[A];第七屆全國信息獲取與處理學(xué)術(shù)會議論文集[C];2009年

6 王樹金;錢希承;邢建萍;張慶祥;;單粒子效應(yīng)引起CPU寄存器位翻轉(zhuǎn)的測試系統(tǒng)[A];第8屆全國核電子學(xué)與核探測技術(shù)學(xué)術(shù)年會論文集（二）[C];1996年

7 唐民;;超深亞微米SRAM和Flash存儲器的輻射效應(yīng)[A];第十屆全國抗輻射電子學(xué)與電磁脈沖學(xué)術(shù)年會論文集[C];2009年

8 賀朝會;陳曉華;王燕萍;姬琳;李國政;;FLASH ROM的14MeV中子輻照實驗研究[A];第9屆全國核電子學(xué)與核探測技術(shù)學(xué)術(shù)年會論文集[C];1998年

9 薛玉雄;田愷;曹洲;劉剛;韓鄭生;;SOI工藝的靜態(tài)存儲器單粒子翻轉(zhuǎn)試驗研究[A];第十屆全國抗輻射電子學(xué)與電磁脈沖學(xué)術(shù)年會論文集[C];2009年

10 賀朝會;楊秀培;張衛(wèi)衛(wèi);褚俊;任學(xué)明;夏春梅;王宏全;肖江波;李曉林;;應(yīng)用α源評估靜態(tài)存儲器的軟錯誤[A];第四屆北京核學(xué)會核應(yīng)用技術(shù)學(xué)術(shù)交流會論文集[C];2006年

相關(guān)博士學(xué)位論文 前2條

1 黃海林;高可靠處理器體系結(jié)構(gòu)研究[D];中國科學(xué)院研究生院（計算技術(shù)研究所）;2006年

2 范雪;一種新型反熔絲存儲器的研制及其抗輻射加固方法研究[D];電子科技大學(xué);2011年

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前10條

1 高航;星載并行計算機(jī)系統(tǒng)上任務(wù)級復(fù)算的設(shè)計與實現(xiàn)[D];國防科學(xué)技術(shù)大學(xué);2009年

2 林博;存儲芯片糾檢錯電路設(shè)計與FPGA實現(xiàn)[D];哈爾濱工業(yè)大學(xué);2007年

3 賴鑫;高可靠8051設(shè)計與實現(xiàn)及可靠性評估[D];國防科學(xué)技術(shù)大學(xué);2008年

4 趙容;基于商用工藝的抗輻射SRAM設(shè)計與實現(xiàn)[D];湖南師范大學(xué);2009年

5 石軒;新型抗SEU存儲器讀寫結(jié)構(gòu)及ECC編碼方法研究[D];西安電子科技大學(xué);2009年

6 陳微;高可靠微處理器設(shè)計關(guān)鍵技術(shù)研究與實現(xiàn)[D];國防科學(xué)技術(shù)大學(xué);2006年

7 袁子陽;抗輻射加固“龍芯”處理器的空間輻射環(huán)境適應(yīng)性研究及航天計算機(jī)設(shè)計[D];中國科學(xué)院研究生院（空間科學(xué)與應(yīng)用研究中心）;2009年

8 丁朋程;基于SRAM型FPGA的抗單粒子效應(yīng)容錯技術(shù)的研究[D];西北師范大學(xué);2013年

9 杜守剛;通用存儲器單粒子效應(yīng)測試系統(tǒng)研究[D];西安電子科技大學(xué);2010年

10 王浩;DSP輻射效應(yīng)分析及測試方法研究[D];西安電子科技大學(xué);2013年

，

本文編號：1802935