發(fā)布時(shí)間：2018-04-25 20:57

  本文選題：存儲(chǔ)器 + 單粒子翻轉(zhuǎn)��； 參考：《微電子學(xué)與計(jì)算機(jī)》2014年09期

【摘要】：提出了一種基于NIOS II的異步SRAM單粒子效應(yīng)檢測(cè)系統(tǒng),用于評(píng)估抗輻射加固SRAM電路的抗單粒子效應(yīng)能力.該檢測(cè)系統(tǒng)可以對(duì)異步SRAM進(jìn)行四種工作模式下的動(dòng)態(tài)和靜態(tài)檢測(cè),利用該檢測(cè)系統(tǒng)在重離子加速器上對(duì)一款異步SRAM進(jìn)行了單粒子效應(yīng)試驗(yàn),獲得了5種離子的試驗(yàn)數(shù)據(jù),統(tǒng)計(jì)分析后得到了器件的單粒子翻轉(zhuǎn)閾值、單粒子翻轉(zhuǎn)飽和截面和單粒子翻轉(zhuǎn)在軌錯(cuò)誤率,并與國(guó)外同款電路進(jìn)行了對(duì)比,最后依據(jù)試驗(yàn)結(jié)果給出了評(píng)估結(jié)論.
[Abstract]:An asynchronous SRAM single particle effect detection system based on NIOS II is proposed to evaluate the anti-single particle effect ability of SRAM circuits strengthened by radiation. The system can be used for dynamic and static detection of asynchronous SRAM in four working modes. A single particle effect test of an asynchronous SRAM is carried out on a heavy ion accelerator using the system, and the experimental data of five kinds of ions are obtained. After statistical analysis, the single particle turnover threshold, the saturation cross section of single particle flip and the error rate of single particle flip on orbit are obtained, and compared with the same circuit in foreign countries. Finally, the evaluation results are given according to the experimental results.
【作者單位】： 北京微電子技術(shù)研究所;
【分類號(hào)】：TP333

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本文編號(hào)：1802935