高精度SRAM端口時序參數(shù)測量電路的設(shè)計與實現(xiàn)
本文選題:時序參數(shù)測量 + 建立/保持時間; 參考:《微電子學與計算機》2016年07期
【摘要】:對一種普通的數(shù)字時間轉(zhuǎn)換器(Digital-to-Time Converter,DTC)進行了改進,能實現(xiàn)對輸入信號延時的兩級調(diào)節(jié),一級粗調(diào),一級精調(diào),在SMIC 130nm工藝下,調(diào)節(jié)范圍為0~2.0ns,調(diào)節(jié)精度達到5ps,同時減少了一半的面積,優(yōu)化了結(jié)構(gòu)的非線性誤差.利用改進后的DTC結(jié)構(gòu),設(shè)計了兩種測量方案,分別實現(xiàn)了對SRAM輸入端口的建立時間、保持時間及輸出端口的數(shù)據(jù)讀取時間的測量.仿真結(jié)果表明,該電路對SRAM各個端口時序參數(shù)測量的誤差小于3.33%.
[Abstract]:In this paper, a general digital time converter, Digital-to-Time converter (DTCs), is improved. It can realize two-stage adjustment of input signal delay, one stage coarse tuning and one stage fine tuning. In SMIC 130nm technology, the input time delay can be adjusted at the same time. The adjusting range is 0 ~ 2. 0 ns, the adjusting precision is 5 ps. at the same time, the area is reduced by half, and the nonlinear error of the structure is optimized. Using the improved DTC structure, two kinds of measurement schemes are designed to measure the establishment time, the retention time and the data reading time of the SRAM input port respectively. The simulation results show that the error of the circuit for measuring the timing parameters of SRAM ports is less than 3.33.
【作者單位】: 上海交通大學微電子學院;
【基金】:國家自然科學基金項目(61176037)
【分類號】:TP333
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,本文編號:1784714
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