本文選題：鐵電薄膜 + 疲勞��； 參考：《中國科技論文》2015年22期

【摘要】：為了探究阻礙PZT鐵電薄膜在市場上得到廣泛應用的疲勞失效機理,本文對PZT(鋯鈦酸鉛)鐵電薄膜在疲勞過程中的電滯回線、漏電流、保持損失和印記特性的變化進行了研究。研究結果表明:在歐姆導電區(qū)域,PZT薄膜體電阻率隨疲勞進程而減小,表明薄膜中氧空位體積分子數(shù)增大;在疲勞進程中,電滯回線向負電壓方向偏移產生印記,同時保持損失隨疲勞進程加劇,且正極化方向的保持能力相對更好;利用雙勢阱和氧八面體結構模型來解釋實驗現(xiàn)象,得到在疲勞進程中原胞內部的雙勢阱變淺、變窄導致極化下降,并且氧空位更易在氧八面體頂端形成而導致疲勞中產生印記和極化保持在正方向上更好的結果。
[Abstract]:In order to explore the fatigue failure mechanism of PZT ferroelectric thin films which are widely used in the market, the changes of hysteresis loop, leakage current, retention loss and imprint characteristics of PZT ferroelectric thin films during fatigue are studied in this paper.The results show that the bulk resistivity of PZT thin films decreases with the fatigue process in the ohmic conductive region, indicating that the number of oxygen vacancy volume molecules in the films increases, and the hysteresis loop shifts to the negative voltage direction to produce the imprint during the fatigue process.At the same time, the retention loss increases with the fatigue process, and the retention ability of the positive polarization direction is relatively better, the double potential well and the oxygen octahedron structure model are used to explain the experimental phenomenon, and the double potential well inside the original cell becomes shallower during the fatigue process.Narrowing leads to a decrease in polarization and oxygen vacancies are more likely to form at the top of an oxygen octahedron which leads to the formation of imprints in fatigue and a better result in the positive direction of polarization.
【作者單位】： 北京工業(yè)大學電子信息與控制工程學院;
【基金】：高等學校博士學科點專項科研基金資助項目(20121103120019) 國家自然科學基金資助項目(61201046) 北京市自然科學基金資助項目(2132023)
【分類號】：TP333

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