一種基于訪存行為地址映射機制的混合內(nèi)存系統(tǒng)
本文選題:相變存儲器 切入點:混合內(nèi)存 出處:《小型微型計算機系統(tǒng)》2014年06期
【摘要】:相變存儲器(PCM)是一種高密度的新型存儲器件,其數(shù)據(jù)讀取性能與現(xiàn)有動態(tài)隨機存儲器(DRAM)相當(dāng)且具有低功耗和按位尋址的特性,具備了替代DRAM的潛力,特別是應(yīng)用在能量受限的移動計算系統(tǒng)中更能發(fā)揮優(yōu)勢.但是PCM在延遲和功耗方面存在讀寫不對稱性,訪問延遲大,寫入功耗高且使用壽命受限.如何充分利用這一新型存儲技術(shù),通過存儲結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新來實現(xiàn)計算機系統(tǒng)訪存高性能和低功耗的目的,是研究的熱點和重點.本文重點針對PCM的這些問題,提出了一種基于訪存行為地址重映射機制MARM的PCM-DRAM混合內(nèi)存系統(tǒng).該內(nèi)存系統(tǒng)將PCM和DRAM置于同一地址空間,以實時監(jiān)測到的物理內(nèi)存訪問為基本依據(jù),利用內(nèi)存系統(tǒng)的物理地址重映射機制實現(xiàn)對PCM和DRAM物理頁面的有效管理.實驗表明,與傳統(tǒng)的DRAM內(nèi)存系統(tǒng)相比,基于MARM管理策略的PCM-DRAM混合內(nèi)存系統(tǒng)可實現(xiàn)32%的功耗延時積收益.
[Abstract]:Phase change memory (PCM) is a new type of memory device with high density. Its data reading performance is comparable to that of existing dynamic random access memory (DRAM), and it has the characteristics of low power consumption and bit addressing, so it has the potential to replace DRAM.Especially, it can play a more important role in mobile computing systems with limited energy.However, the PCM has the asymmetry of reading and writing in terms of delay and power consumption, with large access delay, high write power consumption and limited service life.How to make full use of this new storage technology to realize the goal of high performance and low power consumption of computer system through the innovation of storage structure is a hot topic and key point of research.Aiming at these problems of PCM, this paper proposes a PCM-DRAM hybrid memory system based on memory access behavior address remapping mechanism (MARM).The memory system places PCM and DRAM in the same address space, based on the physical memory access monitored in real time, and realizes the effective management of PCM and DRAM physical pages by using the physical address remapping mechanism of the memory system.The experimental results show that compared with the traditional DRAM memory system, the PCM-DRAM hybrid memory system based on MARM management strategy can achieve 32% power delay product revenue.
【作者單位】: 中國科學(xué)院微電子研究所;
【基金】:中國科學(xué)院戰(zhàn)略性先導(dǎo)科技專項項目(XDA06020401)資助
【分類號】:TP333
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