本文選題：靜電放電(ESD)　切入點(diǎn)：可編程只讀存儲器(PROM)　出處：《電子器件》2014年04期

【摘要】：從全芯片角度出發(fā),采用多電源ESD架構(gòu)和全芯片ESD設(shè)計(jì),對整顆芯片提供全方位的ESD保護(hù),介紹了基于0.18μm CMOS工藝設(shè)計(jì)的大容量PROM芯片的ESD設(shè)計(jì)技術(shù)。同時,通過對高壓編程引腳的ESD加固設(shè)計(jì),提高了芯片的整體抗ESD能力。最終產(chǎn)品ESD測試滿足項(xiàng)目要求。
[Abstract]:From the point of view of full chip, adopting multi-power ESD architecture and full-chip ESD design to provide all-around ESD protection to the whole chip, this paper introduces the ESD design technology of large capacity PROM chip based on 0.18 渭 m CMOS process design. At the same time, the ESD design technology of large capacity PROM chip based on 0.18 渭 m CMOS process is introduced. Through the ESD reinforcement design of the high-voltage programming pin, the overall anti-#en1# capability of the chip is improved. The final product ESD test meets the requirements of the project.
【作者單位】： 深圳市國微電子股份有限公司;
【分類號】：TP333

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本文編號：1699018