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  本文選題：閃存　切入點：固態(tài)存儲　出處：《國防科技大學學報》2015年01期

【摘要】：利用低延遲、低功耗、高可靠的閃存芯片構建閃存存儲陣列是實現(xiàn)高性能存儲系統(tǒng)的有效手段。但應用傳統(tǒng)磁盤陣列技術構建閃存存儲陣列,會引入磨損均衡、校驗數(shù)據(jù)更新頻繁導致陣列生命周期降低等問題。針對閃存固有的讀寫特性,設計實現(xiàn)了一種基于NAND Flash的高性能磁盤陣列機制——基于緩存的可重構磁盤陣列策略。該機制采用可重構條帶的思想,利用存儲等級的內(nèi)存作為緩存,對數(shù)據(jù)順序重組。實驗結果表明:該策略能夠有效降低垃圾回收開銷,提高閃存陣列的性能和使用壽命。
[Abstract]:The use of low delay, low power consumption, high reliability of flash memory chip flash storage array is an effective way to realize the high performance storage system. But the application of flash storage array of traditional disk array technology, will introduce the wear leveling, check data updates frequently lead to problems of array life cycle reduced. Flash memory for inherent reading and writing characteristics, design to achieve a high performance disk array based on Mechanism of NAND Flash -- a reconfigurable cache disk array. The mechanism of the strategy based on the thought reconstruction bands, using storage class memory as cache of data sequence reorganization. The experimental results show that the method can effectively reduce the garbage collection overhead, improve the performance of flash memory array and the service life.

【作者單位】： 國防科技大學計算機學院;
【基金】：國家973計劃資助項目(2012AA01A301) 國家自然科學基金資助項目(61202118)
【分類號】：TP333

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本文編號：1654606