本文選題：掩模只讀存儲(chǔ)器　切入點(diǎn)：二極管陣列　出處：《電子與信息學(xué)報(bào)》2017年06期

【摘要】：針對(duì)傳統(tǒng)ROM(Read-Only Memory)存儲(chǔ)密度低、功耗高的問(wèn)題,該文提出一種采用二極管單元并通過(guò)接觸孔編程來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的掩模ROM。二極管陣列采用雙溝槽隔離工藝和無(wú)間隙接觸孔連接方式實(shí)現(xiàn)了極高的存儲(chǔ)密度。基于此設(shè)計(jì)了一款容量為2 Mb的掩模ROM,包含8個(gè)256 kb的子陣列。二極管陣列采用40 nm設(shè)計(jì)規(guī)則,外圍邏輯電路采用2.5 V CMOS工藝完成設(shè)計(jì)。二極管單元的有效面積僅為0.017μm~2,存儲(chǔ)密度高達(dá)0.0268mm~2/Mb。測(cè)試結(jié)果顯示二極管單元具備良好的單元特性,在2.5 V電壓下2 Mb ROM的比特良率達(dá)到了99.8%。
[Abstract]:Aiming at the problem of low storage density and high power consumption in traditional ROM(Read-Only memory, In this paper, a mask ROM is proposed, which uses diode unit and programming through contact hole to store data. Diode array realizes extremely high storage density by double groove isolation and non-gap contact hole connection. A 2 Mb mask ROM with 8 256kb subarrays is presented. The diode array adopts a 40nm design rule. The peripheral logic circuit is designed by 2.5V CMOS process. The effective area of the diode cell is only 0.017 渭 m / 2, and the storage density is up to 0.0268mm / 2 / Mb.The test results show that the diode unit has good cell characteristics, and the bit yield of 2 Mb ROM is 99.8% at 2.5 V voltage.
【作者單位】： 中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所;上海新儲(chǔ)集成電路有限公司;
【基金】：中國(guó)科學(xué)院戰(zhàn)略性先導(dǎo)科技專項(xiàng)(XDA09020402) 國(guó)家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計(jì)劃(2013CBA01904,2013CBA01900,2010CB 934300,2011CBA00607,2011CB932804) 國(guó)家集成電路重大專項(xiàng)(2009ZX02023-003) 國(guó)家自然科學(xué)基金(61076121,61176122,61106001,61261160500,61376006)~~
【分類號(hào)】：TP333.7

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本文編號(hào)：1654020