本文選題：掩模只讀存儲器　切入點：二極管陣列　出處：《電子與信息學報》2017年06期

【摘要】：針對傳統(tǒng)ROM(Read-Only Memory)存儲密度低、功耗高的問題,該文提出一種采用二極管單元并通過接觸孔編程來存儲數據的掩模ROM。二極管陣列采用雙溝槽隔離工藝和無間隙接觸孔連接方式實現了極高的存儲密度�；诖嗽O計了一款容量為2 Mb的掩模ROM,包含8個256 kb的子陣列。二極管陣列采用40 nm設計規(guī)則,外圍邏輯電路采用2.5 V CMOS工藝完成設計。二極管單元的有效面積僅為0.017μm~2,存儲密度高達0.0268mm~2/Mb。測試結果顯示二極管單元具備良好的單元特性,在2.5 V電壓下2 Mb ROM的比特良率達到了99.8%。
[Abstract]:Aiming at the problem of low storage density and high power consumption in traditional ROM(Read-Only memory, In this paper, a mask ROM is proposed, which uses diode unit and programming through contact hole to store data. Diode array realizes extremely high storage density by double groove isolation and non-gap contact hole connection. A 2 Mb mask ROM with 8 256kb subarrays is presented. The diode array adopts a 40nm design rule. The peripheral logic circuit is designed by 2.5V CMOS process. The effective area of the diode cell is only 0.017 渭 m / 2, and the storage density is up to 0.0268mm / 2 / Mb.The test results show that the diode unit has good cell characteristics, and the bit yield of 2 Mb ROM is 99.8% at 2.5 V voltage.
【作者單位】： 中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所;上海新儲集成電路有限公司;
【基金】：中國科學院戰(zhàn)略性先導科技專項(XDA09020402) 國家重點基礎研究發(fā)展計劃(2013CBA01904,2013CBA01900,2010CB 934300,2011CBA00607,2011CB932804) 國家集成電路重大專項(2009ZX02023-003) 國家自然科學基金(61076121,61176122,61106001,61261160500,61376006)~~
【分類號】：TP333.7

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本文編號：1654020