發(fā)布時(shí)間：2018-03-21 14:37

  本文選題：雙端口SRAM　切入點(diǎn)：定時(shí)刷新　出處：《微電子學(xué)》2015年04期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：在空間輻射環(huán)境下,存儲(chǔ)單元對(duì)單粒子翻轉(zhuǎn)的敏感性日益增強(qiáng)。通過比較SRAM的單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)相關(guān)加固技術(shù),在傳統(tǒng)EDAC技術(shù)的基礎(chǔ)上,增加少量硬件模塊,有效利用雙端口SRAM的端口資源,提出了一種新的周期可控定時(shí)刷新機(jī)制,實(shí)現(xiàn)了對(duì)存儲(chǔ)單元數(shù)據(jù)的周期性糾錯(cuò)檢錯(cuò)。對(duì)加固SRAM單元進(jìn)行分析和仿真,結(jié)果表明,在保證存儲(chǔ)單元數(shù)據(jù)被正常存取的前提下,定時(shí)刷新機(jī)制的引入很大程度地降低了單粒子翻轉(zhuǎn)引起的錯(cuò)誤累積效應(yīng),有效降低了SRAM出現(xiàn)軟錯(cuò)誤的概率。
[Abstract]:In the environment of space radiation, the memory cell is more sensitive to single particle flip. By comparing the single particle flip effect correlation reinforcement technology of SRAM, a small number of hardware modules are added on the basis of traditional EDAC technology. Using the port resource of dual-port SRAM effectively, a new periodic controllable timing refresh mechanism is proposed, and the periodic error correction of memory unit data is realized. The analysis and simulation of the strengthened SRAM unit show that, On the premise that the memory cell data is accessed normally, the introduction of timing refresh mechanism greatly reduces the error accumulation effect caused by single particle flipping, and effectively reduces the probability of soft errors in SRAM.
【作者單位】： 中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所;中國科學(xué)院大學(xué);
【分類號(hào)】：TP333

【參考文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：1644287