本文選題：神經(jīng)元　切入點：突觸　出處：《微電子學(xué)與計算機》2017年11期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：傳統(tǒng)的神經(jīng)形態(tài)芯片一般采用SRAM陣列來存儲突觸權(quán)重,掉電后數(shù)據(jù)會丟失,且只能通過單一地址譯碼進行存取,不利于突觸權(quán)重的更新.為此,本文基于40nm先進工藝并結(jié)合嵌入式相變存儲器設(shè)計了一種非易失性突觸存儲陣列及神經(jīng)元電路,為神經(jīng)元的突觸權(quán)重存儲和更新提供了一種有效、高速和低功耗的解決方案.
[Abstract]:Neuromorphic chips commonly used in the traditional SRAM array to store the synaptic weights, power down data will be lost, and only through a single address decoding access, is not conducive to the synaptic weights update. Therefore, this paper advanced 40nm technology with embedded memory is a nonvolatile memory array and synaptic neuron circuit is designed based on for the neuronal synaptic weights are stored and updated to provide an effective solution, high speed and low power consumption.

【作者單位】： 中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所信息功能材料國家重點實驗室;上海新儲集成電路有限公司;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(61076121,61176122,61106001,61261160500,61376006) 中國科學(xué)院戰(zhàn)略性先導(dǎo)科技專項(XDA09020402) 國家重點基礎(chǔ)研究發(fā)展計劃(2013CBA01904,2013CBA01900,2010CB934300,2011CBA00607,2011CB932804) 國家集成電路重大專項(2009ZX02023-003)
【分類號】：TP333

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本文編號：1605937