本文選題：空間電子　切入點(diǎn)：Flash存儲(chǔ)器　出處：《紅外與激光工程》2015年05期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：分析了工業(yè)級(jí)Flash存儲(chǔ)器件應(yīng)用于空間電子產(chǎn)品時(shí)應(yīng)考慮的溫變規(guī)律和機(jī)理,并在-35~105℃的溫度條件下對(duì)韓國(guó)三星公司生產(chǎn)的大容量Flash存儲(chǔ)器件K9××G08U×D系列進(jìn)行了溫循試驗(yàn)和高溫步進(jìn)應(yīng)力試驗(yàn),以評(píng)估其空間應(yīng)用的可行性。試驗(yàn)結(jié)果顯示:這一系列存儲(chǔ)器在溫度變化的情況下,電性能參數(shù)會(huì)發(fā)生規(guī)律性變化,其中頁(yè)編程時(shí)間隨溫度的升高線性增大,105℃比-35℃時(shí)頁(yè)編程時(shí)間增加15%;塊擦除時(shí)間在低溫條件下明顯增大。在-35℃低溫條件下,塊擦除時(shí)間比常溫條件高出72%,在105℃高溫條件下,塊擦除時(shí)間比常溫條件高出10%。試驗(yàn)表明Flash K9××G08U×D系列存儲(chǔ)器能夠在-35~105℃的環(huán)境下工作,器件可正常擦寫(xiě)讀,壞塊沒(méi)有增加。頁(yè)編程時(shí)間隨著溫度的增加而增加,但是,仍然在器件的最大頁(yè)編程時(shí)間之內(nèi)。但是,在低溫環(huán)境下,擦除時(shí)間會(huì)明顯增加,在空間應(yīng)用時(shí)需為擦除操作預(yù)留足夠的時(shí)間。
[Abstract]:The temperature variation law and mechanism should be considered when the industrial Flash memory device is applied to space electronic products. Temperature following test and high temperature step stress test of K9 脳 G08U 脳 D series of large capacity Flash memory devices produced by Samsung Co., Korea were carried out at -35 鈩，

本文編號(hào)：1598894