本文選題：空間電子　切入點(diǎn)：Flash存儲器　出處：《紅外與激光工程》2015年05期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：分析了工業(yè)級Flash存儲器件應(yīng)用于空間電子產(chǎn)品時應(yīng)考慮的溫變規(guī)律和機(jī)理,并在-35~105℃的溫度條件下對韓國三星公司生產(chǎn)的大容量Flash存儲器件K9××G08U×D系列進(jìn)行了溫循試驗(yàn)和高溫步進(jìn)應(yīng)力試驗(yàn),以評估其空間應(yīng)用的可行性。試驗(yàn)結(jié)果顯示:這一系列存儲器在溫度變化的情況下,電性能參數(shù)會發(fā)生規(guī)律性變化,其中頁編程時間隨溫度的升高線性增大,105℃比-35℃時頁編程時間增加15%;塊擦除時間在低溫條件下明顯增大。在-35℃低溫條件下,塊擦除時間比常溫條件高出72%,在105℃高溫條件下,塊擦除時間比常溫條件高出10%。試驗(yàn)表明Flash K9××G08U×D系列存儲器能夠在-35~105℃的環(huán)境下工作,器件可正常擦寫讀,壞塊沒有增加。頁編程時間隨著溫度的增加而增加,但是,仍然在器件的最大頁編程時間之內(nèi)。但是,在低溫環(huán)境下,擦除時間會明顯增加,在空間應(yīng)用時需為擦除操作預(yù)留足夠的時間。
[Abstract]:The temperature variation law and mechanism should be considered when the industrial Flash memory device is applied to space electronic products. Temperature following test and high temperature step stress test of K9 脳 G08U 脳 D series of large capacity Flash memory devices produced by Samsung Co., Korea were carried out at -35 鈩，

本文編號：1598894