發(fā)布時(shí)間：2018-02-26 13:40

  本文關(guān)鍵詞： 鐵電存儲單元 鐵電存儲器 單粒子翻轉(zhuǎn) 電路仿真　出處：《微電子學(xué)與計(jì)算機(jī)》2015年04期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：采用電路仿真的方法對鐵電存儲單元中不同電路節(jié)點(diǎn)的單粒子效應(yīng)敏感性進(jìn)行了研究,分析了鐵電存儲單元發(fā)生單粒子翻轉(zhuǎn)的機(jī)理.仿真結(jié)果表明,鐵電存儲單元的單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)與鐵電電容的極化狀態(tài)有關(guān).當(dāng)單粒子入射陣列中截止態(tài)NMOS管時(shí),只會造成存"0"鐵電電容的極化翻轉(zhuǎn);板線上的單粒子瞬態(tài)脈沖對存儲數(shù)據(jù)無影響.根據(jù)2T2C和1T1C型鐵電存儲單元的讀出方式,分別分析了可能發(fā)生的數(shù)據(jù)翻轉(zhuǎn)類型.提出了鐵電存儲單元抗單粒子翻轉(zhuǎn)的加固措施.
[Abstract]:The sensitivity of single particle effect of different circuit nodes in ferroelectric memory cell is studied by circuit simulation, and the mechanism of single particle flip in ferroelectric memory cell is analyzed. The simulation results show that, The single-particle flip effect of the ferroelectric memory cell is related to the polarization state of the ferroelectric capacitance. When the cutoff state of the NMOS transistor in the single-particle incident array is cut off, the polarization flip of the "0" ferroelectric capacitance is only caused. The single particle transient pulse on the plate line has no effect on the storage data. According to the readout modes of 2T2C and 1T1C ferroelectric storage cells, the possible data turnover types are analyzed, and the reinforcement measures against single particle flipping of ferroelectric storage cells are put forward.
【作者單位】： 電子科技大學(xué)微電子與固體電子學(xué)院 電子薄膜與集成器件國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【分類號】：TP333

【共引文獻(xiàn)】

相關(guān)博士學(xué)位論文 前1條

1 付興華;摻雜鈦酸鍶鋇薄膜的制備與電性能的研究[D];武漢理工大學(xué);2005年

【相似文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 HORST H.BERGER ,ROBERT SCHNADT ,SIEGFRIED K WIEDMANN ,彭忠良;在一低功耗存儲單元中寫電流控制與自供電[J];電子計(jì)算機(jī)動態(tài);1974年01期

2 孫巾杰;繆向水;程曉敏;鄢俊兵;;非對稱結(jié)構(gòu)相變存儲單元的三維模擬與分析[J];計(jì)算機(jī)與數(shù)字工程;2011年05期

3 科兵;;雙功能存儲單元[J];半導(dǎo)體情報(bào);1972年01期

4 ;英飛凌打造業(yè)界最小的非易失閃存單元[J];電子設(shè)計(jì)應(yīng)用;2005年01期

5 ;結(jié)合和定義[J];電子計(jì)算機(jī)動態(tài);1980年01期

6 焦道海;西門子公司大力發(fā)展4M DRAM片生產(chǎn)[J];稀有金屬;1988年02期

7 大石基之;林詠;;大容量閃存正加速開發(fā) 64G技術(shù)及新單元疊層方法出臺[J];電子設(shè)計(jì)應(yīng)用;2007年09期

8 章凌宇;賈宇明;李磊;胡明浩;;基于DICE結(jié)構(gòu)的抗輻射SRAM設(shè)計(jì)[J];微電子學(xué);2011年01期

9 方云飛;王宏琳;;電子計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)處理入門[J];石油地球物理勘探;1980年S2期

10 周天;新品快遞[J];世界電子元器件;2000年10期

相關(guān)重要報(bào)紙文章 前9條

1 本報(bào)記者 張玉蕾;ABB節(jié)能增效的最佳實(shí)踐[N];中國電力報(bào);2012年

2 吳宵;新型磁隨機(jī)原理型器件問世[N];中國質(zhì)量報(bào);2007年

3 本報(bào)駐韓國記者 薛嚴(yán);以3D視角審視閃存革命[N];科技日報(bào);2013年

4 記者 劉霞;新型光子存儲器或可打破網(wǎng)速瓶頸[N];科技日報(bào);2012年

5 本報(bào)記者 馮衛(wèi)東;未來的U盤納米造[N];科技日報(bào);2007年

6 西安 bingeer;給網(wǎng)卡換張“身份證”[N];電腦報(bào);2001年

7 林宗輝;嵌入式系統(tǒng)緩存的設(shè)計(jì)與發(fā)展[N];電子資訊時(shí)報(bào);2007年

8 本報(bào)記者 向陽;云計(jì)算和大數(shù)據(jù)導(dǎo)演社會變革大戲[N];科技日報(bào);2013年

9 記者 桂運(yùn)安;全球首個(gè)高維量子存儲器“科大造”[N];安徽日報(bào);2013年

相關(guān)博士學(xué)位論文 前3條

1 顧明;嵌入式SRAM性能模型與優(yōu)化[D];東南大學(xué);2006年

2 劉奇斌;相變存儲單元熱模擬及其CMP關(guān)鍵技術(shù)研究[D];中國科學(xué)院研究生院（上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所）;2007年

3 劉曉杰;金屬納米晶電荷俘獲型存儲單元的制備及其存儲效應(yīng)的研究[D];南京大學(xué);2014年

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前10條

1 徐永康;相變存儲單元的仿真研究[D];華中科技大學(xué);2013年

2 謝子健;相變存儲單元多值存儲的仿真研究[D];華中科技大學(xué);2012年

3 胡婷婷;抗內(nèi)部存儲單元失效的32位微處理器的研究與實(shí)現(xiàn)[D];華中科技大學(xué);2011年

4 倪含;T型自由層自旋力矩轉(zhuǎn)移磁隧道結(jié)結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)與模擬計(jì)算[D];華中科技大學(xué);2013年

5 楊X;近閾值低功耗SRAM研究設(shè)計(jì)[D];上海交通大學(xué);2011年

6 宋凱;氧化鋅基阻變器件的構(gòu)建及其開關(guān)特性研究[D];天津理工大學(xué);2012年

7 楊清寶;嵌入式SRAM的高速、低功耗設(shè)計(jì)及優(yōu)化[D];西安電子科技大學(xué);2007年

8 張金峰;亞65納米SRAM的穩(wěn)定性研究與設(shè)計(jì)[D];蘇州大學(xué);2008年

9 趙樂;深亞微米SRAM存儲單元穩(wěn)定性研究[D];蘇州大學(xué);2011年

10 呂百濤;SRAM PVT補(bǔ)償方法研究及電路實(shí)現(xiàn)[D];安徽大學(xué);2012年

，

本文編號：1538264