本文關(guān)鍵詞： 阻變存儲器 寫驅(qū)動 靈敏放大器　出處：《微電子學(xué)》2014年02期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：設(shè)計了一款基于氧化鎢的8Mb高密度阻變存儲器,采用單晶體管開關(guān)、單電阻(1T1R)的存儲器單元結(jié)構(gòu),設(shè)計了完整的存儲單元、行列譯碼器、寫驅(qū)動和靈敏放大器等關(guān)鍵模塊。存儲器芯片采用HHNEC 0.13μm 1P8M CMOS工藝流片。仿真結(jié)果表明,在8F2的高密度存儲單元面積下,該存儲器可實現(xiàn)準(zhǔn)確的數(shù)據(jù)寫入和讀出功能。
[Abstract]:An 8Mb high density resistive memory based on tungsten oxide is designed, which uses a single transistor switch and a single resistor 1T1R) memory cell structure. A complete memory cell and a row decoder are designed. The memory chip adopts HHNEC 0.13 渭 m 1P8M CMOS technology. The simulation results show that. Under the high density memory cell area of 8F2, the memory can realize accurate data writing and readout function.
【作者單位】： 中國科學(xué)院微電子研究所;
【基金】：國家高技術(shù)研究發(fā)展(863)計劃資助項目(2011AA010403)
【分類號】：TN432;TP333
【正文快照】： 1引言近年來,隨著半導(dǎo)體制造工藝水平的不斷提高,非易失性存儲器在集成度、存取速度、存儲容量等方面得到極大的發(fā)展。目前,主流的閃存(Flash)技術(shù)在32nm工藝下遇到不可突破的瓶頸。因此,尋找一種新的存儲機(jī)制來替代閃存技術(shù)成為存儲器發(fā)展的必然趨勢。在多種新型存儲技術(shù)中,

【參考文獻(xiàn)】

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【共引文獻(xiàn)】

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本文編號：1483739