本文關(guān)鍵詞： CMOS電路 脈沖激光 劑量率翻轉(zhuǎn) 翻轉(zhuǎn)閾值 特征尺寸　出處：《原子能科學(xué)技術(shù)》2014年11期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：利用脈沖激光源及脈沖X射線源,開展了超深亞微米CMOS反相器及CMOS靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的瞬時(shí)劑量率效應(yīng)實(shí)驗(yàn),測(cè)量了CMOS電路瞬時(shí)劑量率效應(yīng),并與微米級(jí)電路的瞬時(shí)劑量率效應(yīng)進(jìn)行了比較。結(jié)果表明,對(duì)于CMOS電路,特征尺寸的縮小對(duì)其抗瞬時(shí)劑量率性能的影響與電路的規(guī)模有關(guān)。0.18μm CMOS反相器的抗瞬時(shí)劑量率性能遠(yuǎn)優(yōu)于微米級(jí)反相器,而0.18μm CMOS靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的抗瞬時(shí)劑量率性能遠(yuǎn)低于微米級(jí)及亞微米級(jí)存儲(chǔ)器。
[Abstract]:The instantaneous dose rate effect experiments of ultra-deep sub-micron CMOS inverter and CMOS static random access memory are carried out using pulsed laser source and pulse X-ray source. The instantaneous dose rate effect of CMOS circuit is measured. Compared with the instantaneous dose rate effect of the micrometer circuit, the results show that, for the CMOS circuit. The effect of the reduction of characteristic size on the anti-instantaneous dose rate performance is related to the scale of the circuit. The anti-instantaneous dose rate performance of 0.18 渭 m CMOS inverters is much better than that of micron inverters. However, the anti-instantaneous dose rate performance of 0.18 渭 m CMOS static random access memory is much lower than that of micron and sub-micron memory.
【作者單位】： 西北核技術(shù)研究所強(qiáng)脈沖輻射環(huán)境模擬與效應(yīng)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【分類號(hào)】：TP333
【正文快照】： 超深亞微米集成電路以其高性能和高集成度等特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于電子系統(tǒng)。但隨著特征尺寸的縮小、電路靈敏體積的減小、臨界電荷的下降、寄生晶體管放大倍數(shù)的增加、布線電阻的增大等,導(dǎo)致大規(guī)模集成電路在輻射環(huán)境中出現(xiàn)與以前中小規(guī)模集成電路不同的瞬時(shí)劑量率效應(yīng)現(xiàn)象、特點(diǎn)和

【參考文獻(xiàn)】

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【共引文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：1441816