本文關(guān)鍵詞：磁頭-磁盤接觸作用力對磁記錄層信息強度影響規(guī)律的定量研究　出處：《物理學(xué)報》2015年23期 　論文類型：期刊論文

  更多相關(guān)文章： 磁盤退磁 納米劃痕 磁力顯微鏡 定量分析

【摘要】：磁存儲密度的持續(xù)增長會導(dǎo)致磁頭-磁盤的間距不斷減小,這樣,極有可能引起磁頭-磁盤接觸退磁的發(fā)生,從而造成磁記錄層存儲數(shù)據(jù)的丟失.為了明確退磁過程中的相應(yīng)作用關(guān)系,本文通過磁力顯微鏡的相位成像原理直接給出了磁盤退磁的定量測量方法.并且依據(jù)此方法,利用納米劃痕實驗研究了磁頭-磁盤接觸作用力對磁記錄層信息強度的影響規(guī)律.結(jié)果表明:當(dāng)磁頭-磁盤接觸作用力超過臨界退磁載荷時,磁記錄層的信息強度與磁頭-磁盤接觸作用力之間存在減函數(shù)關(guān)系;在低接觸載荷區(qū)域中,即使磁記錄層表面沒有劃痕產(chǎn)生,磁盤退磁現(xiàn)象仍舊可能發(fā)生;對于任意磁頭-磁盤接觸作用力,磁盤表面的破壞區(qū)域總是會大于磁記錄層的退磁區(qū)域;當(dāng)磁頭反復(fù)劃刮磁盤的同一位置時,磁記錄層的表面劃痕處將出現(xiàn)彈性安定狀態(tài),對應(yīng)地,磁記錄層的信息強度會趨近于某一定值.
[Abstract]:In order to clarify the relationship between magnetic head - disk contact force and magnetic head - disk contact force , the effect of magnetic head - disk contact force on the information intensity of magnetic recording layer is studied by using the principle of phase imaging of magnetic microscope .

【作者單位】： 哈爾濱工業(yè)大學(xué)機電工程學(xué)院;
【基金】：中央高�；究蒲袠I(yè)務(wù)費專項基金(批準(zhǔn)號:HIT.NSRIF.2012037) 國家留學(xué)基金(批準(zhǔn)號:留金發(fā)[2011]3005)資助的課題~~
【分類號】：TP333.35
【正文快照】： 1引言近幾十年來,硬盤驅(qū)動器的磁存儲密度實現(xiàn)了指數(shù)型增長[1].但是隨著信息化時代的到來,海量數(shù)據(jù)充斥著人們的日常生活,致使對硬盤驅(qū)動器的磁存儲密度提出了更高的要求[2,3].目前,磁存儲密度的目標(biāo)為2 Tb/in2[4,5],這就需要磁頭-磁盤的間距降低至2 nm以下[6,7].然而,在如此

【相似文獻】

相關(guān)會議論文 前1條

1 牟欣欣;付志一;;細胞接觸作用的力學(xué)研究[A];北京力學(xué)學(xué)會第12屆學(xué)術(shù)年會論文摘要集[C];2006年

，

本文編號：1440349