本文關(guān)鍵詞：靜態(tài)隨機存儲器總劑量輻射損傷的在線與離線測試方法　出處：《物理學報》2014年08期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：以靜態(tài)隨機存儲器為研究對象,對其在線和離線測試下的總劑量輻射損傷規(guī)律進行了研究,探尋了兩種測試條件下總劑量損傷的差異并對造成差異的物理機制進行了分析和討論,研究結(jié)果表明:由于靜態(tài)隨機存儲器存在多種總劑量失效模式,相對于在線測試只能覆蓋存儲單元固定錯誤的一種失效模式,離線測試可覆蓋多種功能失效模式;由于信號完整性對測試頻率的限制,使得在線測試得到的動態(tài)功耗電流值要明顯小于離線測試得到的動態(tài)功耗電流值;由于"印記效應"的存在,在線測試靜態(tài)功耗電流小于離線測試中器件存儲與輻照相反數(shù)據(jù)時的靜態(tài)功耗電流值;在線無法測量的一些電參數(shù),有可能先于在線可測參數(shù)而失效,這些研究結(jié)果對于靜態(tài)隨機存儲器在星用輻射環(huán)境下的總劑量輻射損傷規(guī)律的研究和實驗評估具有重要意義。
[Abstract]:Taking static random access memory (SRAM) as the research object, the law of total dose radiation damage under on-line and off-line test was studied. The difference of total dose damage under two test conditions is explored and the physical mechanism of the difference is analyzed and discussed. The results show that there are many total dose failure modes in static random access memory. Compared with online testing, it can only cover one failure mode of memory cell fixed error, while off-line test can cover a variety of functional failure modes. Because of the limitation of signal integrity to the test frequency, the dynamic power current obtained by on-line testing is obviously smaller than that obtained by off-line testing. Due to the existence of "imprint effect", the static power consumption current in on-line testing is smaller than that in off-line testing when the device stores the data opposite to the irradiated data. Some electrical parameters that can not be measured online may fail before on-line measurable parameters. These results are of great significance for the study and experimental evaluation of total dose radiation damage of static random access memory in satellite radiation environment.
【作者單位】： 新疆理化技術(shù)研究所 中國科學院特殊環(huán)境功能材料與器件重點實驗室 新疆電子信息材料與器件重點實驗室;中國科學院大學;
【分類號】：TP333.8
【正文快照】： 試與在線測試.x弓|f 離線測試是指利用大規(guī)模集成電路自動測試P 設(shè)備(ATE),在不同的累積劑量點對器件進行工靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)是數(shù)字處理、信息處 業(yè)標準的全參數(shù)測試,根據(jù)參數(shù)測試結(jié)果是否在器理、自動控制設(shè)備中的重要組成部件,被廣泛應用 件正常工作范圍內(nèi)來判定器件能

【參考文獻】

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【共引文獻】

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