發(fā)布時(shí)間：2018-01-10 14:28

  本文關(guān)鍵詞：三維垂直結(jié)構(gòu)阻變存儲(chǔ)器架構(gòu)和電路關(guān)鍵問(wèn)題研究　出處：《復(fù)旦大學(xué)》2013年碩士論文　論文類型：學(xué)位論文

  更多相關(guān)文章： NAND Flash RRAM 三維結(jié)構(gòu) 高密度 IR Drop Disturbance 選通延時(shí) 功耗

【摘要】：隨著集成電路需要處理數(shù)據(jù)量的不斷增加,數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)變得異常重要,對(duì)分立式高密度存儲(chǔ)器的市場(chǎng)需求也越來(lái)越大。目前較為成熟的分立式高密度存儲(chǔ)技術(shù)是NAND Flash(閃存),但由于Flash有著微縮瓶頸,不能很好的隨工藝代發(fā)展而不斷微縮。因此急需一種新型高密度存儲(chǔ)器來(lái)滿足日趨強(qiáng)烈的高容量存儲(chǔ)需求。 RRAM(阻變存儲(chǔ)器)存儲(chǔ)介質(zhì)一般是金屬氧化物,工藝制造簡(jiǎn)單,有著很好的隨工藝代不斷微縮的優(yōu)勢(shì),已成為業(yè)內(nèi)專家們的研究熱點(diǎn)。為了與三維NAND Flash在存儲(chǔ)密度上相競(jìng)爭(zhēng),三維垂直結(jié)構(gòu)RRAM(3D Vertical RRAM)被提出,但3D Vertical RRAM仍存在許多待解決問(wèn)題：高密度架構(gòu)的確定,大IR Drop(電壓降)問(wèn)題,Disturbance問(wèn)題,大陣列過(guò)長(zhǎng)選通延時(shí)問(wèn)題,功耗問(wèn)題等。 本文針對(duì)其存在的這些問(wèn)題進(jìn)行了詳細(xì)分析,并提出了相應(yīng)解決方案。提出低IR Drop的3D Shunting Vertical RRAM架構(gòu),采用并行操作方式以獲得與NAND Flash相競(jìng)爭(zhēng)的操作帶寬。并使用Ref-Cell-Read和Set/Reset-Verify方案進(jìn)一步抑制IR Drop對(duì)read和set/reset操作過(guò)程可靠性的影響。應(yīng)對(duì)Disturbance(干擾)的問(wèn)題大陣列過(guò)長(zhǎng)選通延時(shí)問(wèn)題分別提出2D1R方案和Tick-tuck方案。最后對(duì)提出架構(gòu)的功耗進(jìn)行了分析,并提出了對(duì)一些工藝參數(shù)的要求。
[Abstract]:With the increasing amount of data needed to be processed by integrated circuits, the storage of data becomes extremely important. The market demand for discrete high-density memory is also increasing. At present, the more mature discrete high-density storage technology is NAND Flash (flash memory), but because of the Flash has a micro-bottleneck. It can not be very good with the development of technology, so a new type of high-density memory is urgently needed to meet the growing demand for high-capacity storage. RRAM (resistive memory) storage medium is generally metal oxide, the process is simple, and has the advantage of continuous shrinking with the process. In order to compete with 3D NAND Flash in storage density. 3D vertical structure RRAM(3D Vertical Ram is proposed, but 3D Vertical RRAM still has many problems to be solved: the determination of high density architecture. The problem of large IR Dropis Disturbance problem, the problem of long gate delay of large array, the problem of power consumption, etc. In this paper, the existence of these problems are analyzed in detail. The corresponding solution is put forward, and the 3D Shunting Vertical RRAM architecture with low IR Drop is proposed. Using parallel operations to obtain access to NAND. Flash competing operating bandwidth. Further suppression of IR using Ref-Cell-Read and Set/Reset-Verify schemes. The effect of Drop on the reliability of read and set/reset operation process. Finally, the power consumption of the proposed architecture is analyzed, and the 2D1R scheme and the Tick-tuck scheme are proposed respectively. The requirements of some technological parameters are also put forward.
【學(xué)位授予單位】：復(fù)旦大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2013
【分類號(hào)】：TP333

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本文編號(hào)：1405633