本文關(guān)鍵詞：快閃存儲(chǔ)器閾值電壓分布讀取和修正方法　出處：《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》2014年02期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：在快閃存儲(chǔ)器中,多晶硅浮柵的漏電、存儲(chǔ)單元之間的干擾、長期的編程擦除操作都會(huì)使存儲(chǔ)單元的閾值電壓發(fā)生漂移,使采用多電平技術(shù)的快閃存儲(chǔ)器的閾值電壓分布規(guī)劃變得越來越困難。針對(duì)這一問題,提出了一種快閃存儲(chǔ)器閾值電壓分布讀取方法,該方法能準(zhǔn)確地測(cè)量快閃存儲(chǔ)器的閾值電壓分布,給快閃存儲(chǔ)器閾值電壓分布規(guī)劃和編程擦除算法的設(shè)計(jì)提供參考。
[Abstract]:In flash memory, the leakage of polysilicon floating gate, the interference between memory cells, and the long-term programming erasure will cause the threshold voltage of memory cell to drift. It is more and more difficult to plan the threshold voltage distribution of flash memory using multilevel technology. In order to solve this problem, a reading method for threshold voltage distribution of flash memory is proposed. This method can accurately measure the threshold voltage distribution of flash memory and provide a reference for the design of threshold voltage distribution planning and programming erasure algorithm of flash memory.
【作者單位】： 清華大學(xué)微電子學(xué)研究所;
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(61106102)
【分類號(hào)】：TP333
【正文快照】： 引言快閃存儲(chǔ)器(Flash memory)作為現(xiàn)今一種主流的存儲(chǔ)介質(zhì),具有高密度、高速塊擦除、低成本等優(yōu)點(diǎn),被廣泛運(yùn)用于各類數(shù)碼產(chǎn)品。多電平(Multi-levelcell,MLC)技術(shù)[1-5]是快閃存儲(chǔ)器發(fā)展的一個(gè)重要趨勢(shì),該技術(shù)將快閃存儲(chǔ)器的閾值電壓分為多個(gè)區(qū)域,使單個(gè)存儲(chǔ)單元能夠?qū)崿F(xiàn)多比

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本文編號(hào)：1404010