本文關鍵詞：室溫下制備非晶ZnO薄膜及其電阻開關特性研究　出處：《無機材料學報》2014年11期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：室溫下采用紫外固化的方法取代溶膠 凝膠方法中的高溫退火制備了氧化鋅薄膜,XRD分析結果表明薄膜為非晶的,XPS分析結果表明薄膜的主要成分是ZnO。在深紫外固化后的薄膜表面濺射Al作為頂電極獲得Al/a-ZnO/FTO結構的器件,研究深紫外照射時間對器件電阻轉變性能的影響,進一步解釋了深紫外固化的機制。研究表明:經(jīng)過充足時間(12h)照射的器件表現(xiàn)出雙極性電阻開關特性,閾值電壓分布集中( 3.7 VVset 2.9 V,3.4 VVreset4.3 V)且符合低電壓工作的要求,至少在4000 s內器件的高低阻態(tài)都沒有發(fā)生明顯的退化,表現(xiàn)出了良好的存儲器特性。Al/a-Zn O/FTO器件的這種電阻轉變特性可以用空間電荷限制電流傳導機制解釋。
[Abstract]:ZnO thin films were prepared by UV curing at room temperature instead of high temperature annealing in sol-gel method. The results of XRD analysis showed that the films were amorphous. The results of XPS analysis show that the main component of the film is ZnO.The sputtering Al on the surface of the thin film after deep UV curing is used as the top electrode to obtain the Al/a-ZnO/FTO structure device. The influence of the external irradiation time of deep violet on the resistance transition performance of the device was studied. The mechanism of deep UV curing is further explained. It is shown that the device irradiated with sufficient time (12 h) exhibits bipolar resistance switch characteristics. The distribution of threshold voltage is concentrated (3. 7 VVset / 2. 9 V / 3. 4 VVreset4.3 / V) and meets the requirement of low voltage operation. At least 4000s, the high and low resistance states of the devices did not degenerate obviously. The resistive transition characteristics of Alra-Zn / FTO devices can be explained by the space-charge-limited current conduction mechanism.
【作者單位】： 華中科技大學光學與電子信息學院;
【基金】：國家自然科學基金重點項目(61076042)~~
【分類號】：TP333;TN304.21
【正文快照】： 近年來,阻變存儲器作為一種新型的非易失性存儲器受到了學術界和工業(yè)界的廣泛關注。這種存儲器具有存儲速度快,功耗低,結構簡單,可高密度集成等優(yōu)點,集合了動態(tài)存儲器的成本優(yōu)勢、靜態(tài)存儲器的高速讀寫和閃存的非易失性的特點,有望成為下一代新型通用存儲器[1]。目前許多材料

【參考文獻】

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【共引文獻】

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6 王t，

本文編號：1394002