本文關(guān)鍵詞：基于主成分分析的溫度對Flash存儲器電參數(shù)一致性分析　出處：《中國測試》2017年04期 　論文類型：期刊論文

  更多相關(guān)文章： 閃存存儲器 主成分分析 電參數(shù) 一致性

【摘要】：針對溫度對閃存(Flash)存儲器電參數(shù)的一致性影響特性尚不清晰、一致性分析評價方法不明確等問題,提出采用主成分分析法對Flash存儲器中的不同電參數(shù)進行一致性分析。實驗結(jié)果表明:溫度會對Flash存儲器的電參數(shù)漂移產(chǎn)生影響,隨著溫度的升高或降低,Flash存儲器電參數(shù)的主成分均值與方差具有相反的變化趨勢�；谥鞒煞址治龇镕lash存儲器的電參數(shù)一致性評價提供一種手段,溫度對其電參數(shù)一致性的影響特性對保障產(chǎn)品的質(zhì)量及改進設(shè)計具有指導(dǎo)意義。
[Abstract]:The influence of temperature on the consistency of electric parameters of flash memory is not clear, and the method of consistency analysis and evaluation is not clear. Principal component analysis (PCA) is proposed to analyze the consistency of different electrical parameters in Flash memory. The experimental results show that temperature will affect the drift of electrical parameters of Flash memory. As the temperature rises or decreases. The principal component mean and variance of Flash memory have the opposite change trend. Based on principal component analysis (PCA), it provides a means to evaluate the consistency of electrical parameters of Flash memory. The effect of temperature on the conformance of electrical parameters is significant to ensure the quality of the product and improve the design.
【作者單位】： 工業(yè)和信息化部電子第五研究所;河南信息工程學(xué)校;
【分類號】：TP333
【正文快照】： 0引言Flash存儲器由于具有非易失性、固態(tài)性、體積小、抗震動、高性能、低功耗、便攜、可靠等特點廣泛應(yīng)用于軍民用產(chǎn)品,如宇航、衛(wèi)星、移動通信和消費電子等領(lǐng)域[1]。近年來,隨著容量的提高和價格的降低,大量的市場需求促使Flash存儲器獲得了快速發(fā)展[2]。在Flash存儲器的批

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4 薛豪杰;杜嘯曉;;基于Flash存儲器的多通道大容量數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)[A];2004年全國水聲學(xué)學(xué)術(shù)會議論文集[C];2004年

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7 何亞t

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