本文關鍵詞：OTP存儲器存儲單元內(nèi)寄生電容對讀取閾值的影響　出處：《電子設計工程》2016年02期 　論文類型：期刊論文

  更多相關文章： OTP存儲器 存儲單元 寄生電容 讀取閾值

【摘要】：在OTP存儲器的設計中,基于得到OTP存儲器存儲單元編程后盡可能大的讀取閾值的目的,以提高OTP存儲器的編程效率和芯片成品率,采用了消除存儲單元內(nèi)寄生電容的方法,通過對OTP存儲器存儲單元內(nèi)帶寄生電容和不帶寄生電容兩種情況下的仿真以及對比,可以發(fā)現(xiàn)存儲單元內(nèi)寄生電容的存在會使OTP存儲器編程后的讀取閾值減少8 kΩ左右,所以在OTP存儲器的設計中,應盡可能消除掉存儲單元內(nèi)的寄生電容,獲得盡可能大的讀取閾值。
[Abstract]:In the design of OTP memory, in order to improve the programming efficiency and chip yield of OTP memory, the purpose is to obtain the maximum read threshold after programming of OTP memory cell. The method of eliminating parasitic capacitance in memory cell is used to simulate and compare the parasitic capacitance with or without parasitic capacitance in the memory cell of OTP memory. It can be found that the existence of parasitic capacitance in memory cells will reduce the reading threshold of OTP memory by about 8k 惟 after programming, so it is in the design of OTP memory. The parasitic capacitance in the memory cell should be eliminated as much as possible and the maximum read threshold should be obtained.
【作者單位】： 電子科技大學電子薄膜與集成器件國家重點實驗室;
【基金】：國家自然科學基金項目(61404021)
【分類號】：TP333
【正文快照】： OTP(one time programmable)存儲器[1]作為只可以編程一次的非易失性存儲器具有集成度高、存取速度快等特點,在航空航天、軍工等對抗輻照、保密特性要求很高的領域中,起著不可替代的作用[2]。OTP存儲器的種類很多,很多是基于熔絲和反熔絲,本文介紹的OTP存儲器基于反熔絲結(jié)構(gòu)[3

【相似文獻】

相關期刊論文 前10條

1 HORST H.BERGER ,ROBERT SCHNADT ,SIEGFRIED K WIEDMANN ,彭忠良;在一低功耗存儲單元中寫電流控制與自供電[J];電子計算機動態(tài);1974年01期

2 孫巾杰;繆向水;程曉敏;鄢俊兵;;非對稱結(jié)構(gòu)相變存儲單元的三維模擬與分析[J];計算機與數(shù)字工程;2011年05期

3 科兵;;雙功能存儲單元[J];半導體情報;1972年01期

4 ;英飛凌打造業(yè)界最小的非易失閃存單元[J];電子設計應用;2005年01期

5 ;結(jié)合和定義[J];電子計算機動態(tài);1980年01期

6 焦道海;西門子公司大力發(fā)展4M DRAM片生產(chǎn)[J];稀有金屬;1988年02期

7 大石基之;林詠;;大容量閃存正加速開發(fā) 64G技術及新單元疊層方法出臺[J];電子設計應用;2007年09期

8 章凌宇;賈宇明;李磊;胡明浩;;基于DICE結(jié)構(gòu)的抗輻射SRAM設計[J];微電子學;2011年01期

9 方云飛;王宏琳;;電子計算機數(shù)據(jù)處理入門[J];石油地球物理勘探;1980年S2期

10 周天;新品快遞[J];世界電子元器件;2000年10期

相關重要報紙文章 前9條

1 本報記者 張玉蕾;ABB節(jié)能增效的最佳實踐[N];中國電力報;2012年

2 吳宵;新型磁隨機原理型器件問世[N];中國質(zhì)量報;2007年

3 本報駐韓國記者 薛嚴;以3D視角審視閃存革命[N];科技日報;2013年

4 記者 劉霞;新型光子存儲器或可打破網(wǎng)速瓶頸[N];科技日報;2012年

5 本報記者 馮衛(wèi)東;未來的U盤納米造[N];科技日報;2007年

6 西安 bingeer;給網(wǎng)卡換張“身份證”[N];電腦報;2001年

7 林宗輝;嵌入式系統(tǒng)緩存的設計與發(fā)展[N];電子資訊時報;2007年

8 記者 桂運安;全球首個高維量子存儲器“科大造”[N];安徽日報;2013年

9 本報記者 向陽;云計算和大數(shù)據(jù)導演社會變革大戲[N];科技日報;2013年

相關博士學位論文 前3條

1 顧明;嵌入式SRAM性能模型與優(yōu)化[D];東南大學;2006年

2 劉奇斌;相變存儲單元熱模擬及其CMP關鍵技術研究[D];中國科學院研究生院（上海微系統(tǒng)與信息技術研究所）;2007年

3 劉曉杰;金屬納米晶電荷俘獲型存儲單元的制備及其存儲效應的研究[D];南京大學;2014年

相關碩士學位論文 前10條

1 徐永康;相變存儲單元的仿真研究[D];華中科技大學;2013年

2 謝子健;相變存儲單元多值存儲的仿真研究[D];華中科技大學;2012年

3 胡婷婷;抗內(nèi)部存儲單元失效的32位微處理器的研究與實現(xiàn)[D];華中科技大學;2011年

4 倪含;T型自由層自旋力矩轉(zhuǎn)移磁隧道結(jié)結(jié)構(gòu)的設計與模擬計算[D];華中科技大學;2013年

5 丁輝;一種低功耗高穩(wěn)定的九管SRAM單元設計[D];安徽大學;2015年

6 楊X;近閾值低功耗SRAM研究設計[D];上海交通大學;2011年

7 宋凱;氧化鋅基阻變器件的構(gòu)建及其開關特性研究[D];天津理工大學;2012年

8 楊清寶;嵌入式SRAM的高速、低功耗設計及優(yōu)化[D];西安電子科技大學;2007年

9 張金峰;亞65納米SRAM的穩(wěn)定性研究與設計[D];蘇州大學;2008年

10 趙樂;深亞微米SRAM存儲單元穩(wěn)定性研究[D];蘇州大學;2011年

，

本文編號：1378832