本文關(guān)鍵詞：OTP存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元內(nèi)寄生電容對(duì)讀取閾值的影響　出處：《電子設(shè)計(jì)工程》2016年02期 　論文類型：期刊論文

  更多相關(guān)文章： OTP存儲(chǔ)器 存儲(chǔ)單元 寄生電容 讀取閾值

【摘要】：在OTP存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)中,基于得到OTP存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元編程后盡可能大的讀取閾值的目的,以提高OTP存儲(chǔ)器的編程效率和芯片成品率,采用了消除存儲(chǔ)單元內(nèi)寄生電容的方法,通過(guò)對(duì)OTP存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元內(nèi)帶寄生電容和不帶寄生電容兩種情況下的仿真以及對(duì)比,可以發(fā)現(xiàn)存儲(chǔ)單元內(nèi)寄生電容的存在會(huì)使OTP存儲(chǔ)器編程后的讀取閾值減少8 kΩ左右,所以在OTP存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)中,應(yīng)盡可能消除掉存儲(chǔ)單元內(nèi)的寄生電容,獲得盡可能大的讀取閾值。
[Abstract]:In the design of OTP memory, in order to improve the programming efficiency and chip yield of OTP memory, the purpose is to obtain the maximum read threshold after programming of OTP memory cell. The method of eliminating parasitic capacitance in memory cell is used to simulate and compare the parasitic capacitance with or without parasitic capacitance in the memory cell of OTP memory. It can be found that the existence of parasitic capacitance in memory cells will reduce the reading threshold of OTP memory by about 8k 惟 after programming, so it is in the design of OTP memory. The parasitic capacitance in the memory cell should be eliminated as much as possible and the maximum read threshold should be obtained.
【作者單位】： 電子科技大學(xué)電子薄膜與集成器件國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(61404021)
【分類號(hào)】：TP333
【正文快照】： OTP(one time programmable)存儲(chǔ)器[1]作為只可以編程一次的非易失性存儲(chǔ)器具有集成度高、存取速度快等特點(diǎn),在航空航天、軍工等對(duì)抗輻照、保密特性要求很高的領(lǐng)域中,起著不可替代的作用[2]。OTP存儲(chǔ)器的種類很多,很多是基于熔絲和反熔絲,本文介紹的OTP存儲(chǔ)器基于反熔絲結(jié)構(gòu)[3

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本文編號(hào)：1378832