本文關(guān)鍵詞：內(nèi)存空間在雙空間存儲(chǔ)器上的推移技術(shù)實(shí)驗(yàn)　出處：《上海大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版)》2017年02期 　論文類(lèi)型：期刊論文

  更多相關(guān)文章： 雙空間存儲(chǔ)器 非易失性隨機(jī)存儲(chǔ)器(non-volatile random access memory NVRAM) 內(nèi)存推移

【摘要】：詳細(xì)介紹雙空間存儲(chǔ)器理論和其核心技術(shù)——內(nèi)存空間推移技術(shù)的仿真實(shí)驗(yàn).證實(shí)了用非易失性隨機(jī)存儲(chǔ)器(non-volatile random access memory,NVRAM)構(gòu)建雙空間存儲(chǔ)器的可行性,同時(shí)通過(guò)對(duì)8086CPU系統(tǒng)的仿真實(shí)驗(yàn),證實(shí)了將內(nèi)存空間在雙空間存儲(chǔ)器上推移之技術(shù)的正確性.實(shí)驗(yàn)設(shè)置的目標(biāo)系統(tǒng)包含一個(gè)8086CPU,16 MB的雙空間存儲(chǔ)器和16個(gè)8位的推移鎖存器.目標(biāo)系統(tǒng)中設(shè)置了2個(gè)不可閉窗和14個(gè)可推移的窗框,在不可閉的255號(hào)窗壁中設(shè)置了8086CPU的首指令和初始化程序,在不可閉的254號(hào)窗壁設(shè)置了8086CPU的中斷向量表和雙空間存儲(chǔ)器的推移向量表.實(shí)驗(yàn)完成了8086CPU的上電過(guò)程、自動(dòng)執(zhí)行初始化程序、正確執(zhí)行中斷命令、正確執(zhí)行數(shù)據(jù)讀寫(xiě)命令等操作,并將CPU對(duì)其1 MB內(nèi)存空間的隨機(jī)讀寫(xiě)訪(fǎng)問(wèn)自動(dòng)落實(shí)為對(duì)16 MB雙空間存儲(chǔ)器指定位置的實(shí)時(shí)隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn);實(shí)驗(yàn)還完成了隨時(shí)修改推移鎖存器的操作,并以此將對(duì)應(yīng)的窗框推移到了雙空間存儲(chǔ)器的任意位置.實(shí)驗(yàn)結(jié)果為雙空間存儲(chǔ)器理論和內(nèi)存空間推移技術(shù)奠定了基礎(chǔ).
[Abstract]:The simulation experiment with dual memory space theory and its key technology, the memory space goes on technology. We proved that the nonvolatile random access memory (non-volatile random access memory, NVRAM) the feasibility to construct double space memory, the simulation of the 8086CPU system, confirmed the correctness of the memory space in the dual space memory on the moving target system. Experimental set contains a 8086CPU, double space memory of 16 MB and 16 8 goes on the latch. The target system set up 2 and 14 can not shut the pushing window frame, 8086CPU first instruction and initialization procedures can not be set in the closed No. 255 window wall, the interrupt vector table 8086CPU and the double space vector table is arranged in the passage of memory can not be closed the window 254 wall. The experiment was done on 8086CPU electric process automatically performs initialization process Order, the correct implementation of the interrupt command, the correct implementation of data read and write command, and random read CPU on the 1 MB memory space to implement the automatic write access to real-time random access to the specified position 16 MB double space memory; experiment is done to modify passage of the latch operation, and then the window frame by corresponding to any position of the double space memory. The experimental results lay a foundation for the double space memory theory and the memory space goes on.

【作者單位】： 上海大學(xué)計(jì)算機(jī)工程與科學(xué)學(xué)院;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金青年科學(xué)基金資助項(xiàng)目(61103054) 上海市自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(15ZR1415400,13ZR1416000) 上海市教委科研創(chuàng)新資助項(xiàng)目(13ZZ074,13YZ005)
【分類(lèi)號(hào)】：TP333
【正文快照】： (自然科學(xué)版)第23卷storage.The experimental results lay a foundation for the double-space memory principleand its memory space move technique.三值光學(xué)計(jì)算機(jī)[1-3]有眾多的數(shù)據(jù)位,因而適合于處理大批量的數(shù)據(jù)[4-7].這一特征不僅要求三值光學(xué)計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)器具有較大

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3 ;韓國(guó)開(kāi)發(fā)出新一代超高速存儲(chǔ)器芯片[J];世界科技研究與發(fā)展;2004年02期

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6 竇振中;未來(lái)存儲(chǔ)器技術(shù)[J];電子產(chǎn)品世界;2000年02期

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9 潘立陽(yáng);朱鈞;段志剛;伍冬;;快閃存儲(chǔ)器技術(shù)研究與進(jìn)展[J];中國(guó)集成電路;2002年11期

10 仇德成,王東海;存儲(chǔ)器擴(kuò)展中片選的連接[J];河西學(xué)院學(xué)報(bào);2003年02期

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2 胡勇;吳丹;沈森祖;石堅(jiān);;基于V93000測(cè)試系統(tǒng)的存儲(chǔ)器測(cè)試方法研究和實(shí)現(xiàn)[A];第五屆中國(guó)測(cè)試學(xué)術(shù)會(huì)議論文集[C];2008年

3 吾勤之;許導(dǎo)進(jìn);王晨;劉剛;蔡小五;韓鄭生;;SRAM存儲(chǔ)器單粒子效應(yīng)試驗(yàn)研究[A];第十屆全國(guó)抗輻射電子學(xué)與電磁脈沖學(xué)術(shù)年會(huì)論文集[C];2009年

4 唐民;;超深亞微米SRAM和Flash存儲(chǔ)器的輻射效應(yīng)[A];第十屆全國(guó)抗輻射電子學(xué)與電磁脈沖學(xué)術(shù)年會(huì)論文集[C];2009年

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3 南京 沈永明;彩電存儲(chǔ)器讀寫(xiě)器的制作和使用[N];電子報(bào);2005年

4 莫大康;應(yīng)用推動(dòng) 存儲(chǔ)器重回上升軌道[N];中國(guó)電子報(bào);2007年

5 記者王俊鳴;64位存儲(chǔ)器在美問(wèn)世[N];科技日?qǐng)?bào);2002年

6 蔡綺芝 DigiTimes;IBM Racetrack Memory將取代閃存[N];電子資訊時(shí)報(bào);2007年

7 IDG電訊;“牛”氣沖天[N];計(jì)算機(jī)世界;2000年

8 記者 張錦芳;韓國(guó)高速芯片每秒可傳1萬(wàn)本厚書(shū)[N];新華每日電訊;2004年

9 趙軍紅　編譯;存儲(chǔ)器或?qū)⒂瓉?lái)一場(chǎng)新革命[N];科技日?qǐng)?bào);2010年

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6 于軍洋;基于Dy_2O_3阻變存儲(chǔ)器的制備及性能研究[D];北京有色金屬研究總院;2016年

7 楊曉龍;低功耗單柵非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的研究[D];天津工業(yè)大學(xué);2016年

8 姚遠(yuǎn);OTP存儲(chǔ)器智能燒錄系統(tǒng)開(kāi)發(fā)技術(shù)研究[D];電子科技大學(xué);2016年

9 周偉;相變存儲(chǔ)器單元熱擴(kuò)散特性及其測(cè)試系統(tǒng)研究[D];華中科技大學(xué);2015年

10 劉暢;相變存儲(chǔ)器溫度特性及陣列熱串?dāng)_研究[D];華中科技大學(xué);2015年

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本文編號(hào)：1372517