本文關(guān)鍵詞：測量I-V特性分析阻變存儲器的導(dǎo)電機(jī)制　出處：《大學(xué)物理實(shí)驗(yàn)》2016年04期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：介紹了阻變存儲器及其I-V特性的測試分析方法。通過測量三明治結(jié)構(gòu)的阻變存儲器的I-V特性,采用多種擬合方法,與導(dǎo)電機(jī)制原理對比,可以判斷器件的導(dǎo)電機(jī)制,便于深入分析阻變機(jī)理。
[Abstract]:This paper introduces the test and analysis method of the resistive memory and its I-V characteristics. By measuring the I-V characteristics of the resistive memory of sandwich structure, using a variety of fitting methods and comparing with the conduction mechanism principle, we can identify the conductive mechanism of the device and facilitate the in-depth analysis of the mechanism of the resistive change.
【作者單位】： 嶺南師范學(xué)院;
【基金】：國家星火計劃(2015GA780058) 廣東高校青年人才創(chuàng)新計劃(2014KQNCX188) 嶺南師范學(xué)院博士專項(ZL1503)
【分類號】：TP333
【正文快照】： 1阻變隨機(jī)存儲器簡介近年來,非易失性存儲器(NVM:non-volatilememory)由于其高密度、高速度和低功耗的特點(diǎn),在存儲器的發(fā)展當(dāng)中占據(jù)著越來越重要的地位。硅基flash存儲器作為傳統(tǒng)的NVM器件,已被廣泛投入到可移動存儲器的應(yīng)用當(dāng)中。但是,工作壽命、讀寫速度的不足,寫操作中的高

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1 李穎_";劉明;龍世兵;劉琦;張森;王艷;左青云;王琴;胡媛;劉肅;;基于I-V特性的阻變存儲器的阻變機(jī)制研究[J];微納電子技術(shù);2009年03期

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本文編號：1346684