本文關(guān)鍵詞：納米針尖對(duì)阻變存儲(chǔ)器性能改善的研究

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【摘要】：隨著大規(guī)模集成電路技術(shù)的持續(xù)發(fā)展,來(lái)自量子隧穿和電容耦合效應(yīng)等問(wèn)題的挑戰(zhàn)使得傳統(tǒng)Flash存儲(chǔ)器技術(shù)難以滿足摩爾定律的發(fā)展,在后摩爾時(shí)代采用新型非揮發(fā)性存儲(chǔ)技術(shù)成為必然�；陔娮柁D(zhuǎn)變機(jī)制的新型非揮發(fā)存儲(chǔ)器越來(lái)越多地受到工業(yè)界和學(xué)術(shù)界的關(guān)注。近些年,阻變存儲(chǔ)器技術(shù)取得了迅速發(fā)展,但是在該領(lǐng)域還存在一些關(guān)鍵性的問(wèn)題沒(méi)有解決,如：不明確的電阻轉(zhuǎn)變機(jī)制以及其內(nèi)部的載流子輸運(yùn)機(jī)制、較差的轉(zhuǎn)變參數(shù)離散性、較高的功耗以及陣列集成中的漏電問(wèn)題等。本文在改善轉(zhuǎn)變參數(shù)的離散性方面進(jìn)行了探索與研究。主要工作包括：(1)研究了工藝參數(shù)對(duì)于法刻蝕形貌的影響。利用ICP刻蝕制備了可用于RRAM器件制作的納米針尖,針尖尖端直徑為13.51 nm。(2)制備了平面結(jié)構(gòu)及針尖結(jié)構(gòu)兩種器件,對(duì)兩種器件的SET電壓、SET電流、RESET電壓、RESET電流、Roff、Ron等參數(shù)分別作了Weibull統(tǒng)計(jì)分布并進(jìn)行了對(duì)比。結(jié)果表明利用納米針尖改善RRAM器件的方法是可行的。
【學(xué)位授予單位】：北京化工大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2016
【分類號(hào)】：TP333

【參考文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前1條

1 王永;管偉華;龍世兵;劉明;謝常青;;阻變式存儲(chǔ)器存儲(chǔ)機(jī)理[J];物理;2008年12期

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本文編號(hào)：1170131