本文關鍵詞：基于SRL結構的抗輻射SRAM單元設計

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【摘要】：在空間輻射環(huán)境中,單粒子翻轉(SEU)效應嚴重影響了SRAM的可靠性,對航天設備的正常運行構成極大的威脅。提出了一種基于自恢復邏輯(SRL)結構的新型抗輻射SRAM單元,該單元的存儲結構由3個Muller C單元和2個反相器構成,并采用讀寫線路分開設計。單粒子效應模擬實驗結果表明,該單元不僅在靜態(tài)存儲狀態(tài)下對SEU效應具有免疫能力,在讀寫過程中對SEU效應同樣具有免疫能力。
【作者單位】： 電子科技大學電子科學與技術研究院;
【分類號】：TP333
【正文快照】： 1引言當一個高能粒子轟擊一個反偏PN結的耗盡區(qū)或體硅區(qū)時,入射路徑中的硅被電離,形成電子空穴對,該粒子周圍的耗盡區(qū)遭到破壞,其電場等勢面被改變。在電場的作用下,電子移向正電極,空穴移向襯底,從而形成電流,引起節(jié)點電位的改變。當電流達到一定的值并維持一定的時間,節(jié)點的，

本文編號：1154972