本文關鍵詞：基于90nm工藝的8M閃存存儲器的設計

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【摘要】：設計并實現(xiàn)了一款基于雙位單元虛擬地架構(gòu)的8 M嵌入式閃存存儲器芯片,工作電壓是單電源電壓1.5V。由于虛擬地架構(gòu)存儲陣列存在側(cè)邊漏電流,為了減少靈敏放大器裕度損失,采用了讀取電流保護技術。同時,采用了動態(tài)讀取窗口跟蹤參考電壓產(chǎn)生電路來最大化靈敏放大器的裕度。采用華虹宏力標準90nm、4層多晶硅4層金屬CMOS工藝。芯片尺寸是1.8mm2,讀取速度可以達到40ns。
【作者單位】： 上海華虹宏力半導體制造有限公司;
【關鍵詞】： 雙位單元 虛擬地 嵌入式閃存 參考電壓產(chǎn)生電路 靈敏放大器
【基金】：上海市青年科技啟明星計劃項目(16QB1401200)
【分類號】：TP333
【正文快照】： 引言閃存器件具有存儲密度高、掉電數(shù)據(jù)不丟失等特點,在消費電子、移動通訊等設備中的應用日益廣泛[1]。近年來,隨著微控制單元(MCU)和用戶識別(SIM)卡等系統(tǒng)的廣泛應用和升級,嵌入式閃存在這些系統(tǒng)中所占的比重越來越大[2-3]。高性能和低成本成為嵌入式閃存發(fā)展的主要驅(qū)動力

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本文編號：1111534