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相變存儲器材料的研究進(jìn)展和應(yīng)用前景

發(fā)布時間:2017-10-26 22:29

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【摘要】:正隨著社會發(fā)展和科技進(jìn)步,計算機在日常的工作和生活中起到至關(guān)重要的作用。進(jìn)入信息時代,計算機要儲存和處理的信息量越來越大,傳統(tǒng)的儲存器已經(jīng)不能滿足人們?nèi)找嬖鲩L的需求。因此,研究和開發(fā)高速度和大容量存儲器具有重要的意義。目前,主流的存儲器有以隨機存儲器(RAM,Random Access Memory)為代表的易失性(volatile)存儲器和以閃存(Flash)為代表的非易失性
【作者單位】: 北京科技大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】非易失性;薄膜結(jié)構(gòu);volatile;非晶態(tài);存儲材料;數(shù)據(jù)保持;存取速度;材料學(xué);晶態(tài)結(jié)構(gòu);高速存儲;
【分類號】:TP333
【正文快照】:

【相似文獻(xiàn)】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條

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3 侯顯達(dá);非易失性半導(dǎo)體存貯器[J];半導(dǎo)體技術(shù);1982年06期

4 過玉清;;非易失性半導(dǎo)體存貯器[J];集成電路應(yīng)用;1992年06期

5 劉強,陳偉,郭文加,顏榮江;X系列非易失性數(shù)字電位器及應(yīng)用[J];電子技術(shù)應(yīng)用;1998年02期

6 沈承虎,蔡德鈞,容太平;非易失性快速擦寫串行RAM及其應(yīng)用[J];國外電子元器件;1999年04期

7 ;美研制新型非易失性鐵電存儲設(shè)備[J];硅谷;2011年20期

8 ;美研制新型非易失性鐵電存儲設(shè)備[J];硅酸鹽通報;2011年06期

9 趙鴻濱;屠海令;杜軍;;非易失性阻變存儲器研究進(jìn)展[J];稀有金屬;2012年03期

10 袁泉;;減少RAM需求,65nm多路NOR串行閃存擴展到便攜應(yīng)用[J];集成電路應(yīng)用;2010年03期

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2 羅維根;;IC卡和非易失性鐵電存儲器[A];上海市老科學(xué)技術(shù)工作者協(xié)會一、二、三屆學(xué)術(shù)年會論文選集[C];2006年

中國重要報紙全文數(shù)據(jù)庫 前9條

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2 MCU;SpectraLinear Inc.非易失性可編程的PC時鐘系列[N];電子報;2009年

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5 ;飛思卡爾率先將MRAM技術(shù)投入商用[N];科技日報;2006年

6 本報記者 吳挺;DV你的快樂[N];計算機世界;2004年

7 ;飛思卡爾率先將MRAM技術(shù)投入商用[N];中國電子報;2006年

8 ;生活因科技而更完美[N];科技日報;2007年

9 高金祥;Altera出MAX Ⅱ系列CPLD[N];電子資訊時報;2004年

中國博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前1條

1 葉森斌;室溫下工作的非易失性分子級存儲單元的操作設(shè)計與分子動力學(xué)模擬[D];復(fù)旦大學(xué);2009年

中國碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前2條

1 劉寧;非易失性納米晶存儲技術(shù)研究[D];安徽大學(xué);2010年

2 馮新鶴;五萬系統(tǒng)門級非易失性FPGA設(shè)計[D];電子科技大學(xué);2012年

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本文編號:1100777

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