本文關(guān)鍵詞：基于ITO電極下氧化鉿基阻變存儲器的性能研究

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【摘要】：采用磁控濺射和光刻技術(shù)制備了1μm×1μm的Ti N/Hf O2/ITO(氧化銦錫)3層結(jié)構(gòu)的器件,通過控制改變正負(fù)細(xì)絲形成(forming)電壓的操作方式來研究其阻變性能。研究結(jié)果表明,在上述的兩種操作模式下,當(dāng)保持操作端不變時導(dǎo)電細(xì)絲的形成與斷裂均發(fā)生在ITO端操作,且從電流-電壓(I-V)循環(huán)曲線中均發(fā)現(xiàn)了器件具有自限流特性。同時,文中比較了氧化銦錫(ITO)和鉑(Pt)兩種電極下,存儲器單元阻變性能的差別。結(jié)合電流-電壓循環(huán)曲線的擬合機(jī)制,推斷出自限流特性來源于氧化銦錫(ITO)電極與氧化鉿基阻變層之間形成的界面層。進(jìn)一步設(shè)計了基于氧化銦錫(ITO)電極下的氧化硅/氧化鉿雙層結(jié)構(gòu)阻變層的器件,發(fā)現(xiàn)該器件仍具有自限流效應(yīng)。而且,氧化硅層同樣起到了降低操作電流的作用,故使得器件的功耗大幅度降低至16μW。
【作者單位】： 湖北大學(xué)物理與電子科學(xué)學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 阻變存儲器 自限流特性 操作電流 ITO電極
【基金】：國家自然科學(xué)基金項目(61474039) 湖北省自然科學(xué)基金杰出青年基金項目(2015 CFA052)資助
【分類號】：TP333
【正文快照】： 隨著信息時代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,對各種電子產(chǎn)品,特別是信息存儲產(chǎn)品的需求呈現(xiàn)高速上升趨勢。目前廣泛應(yīng)用的硅基浮柵型閃存在不斷微縮的過程中,由于尺寸的影響,將受到無法有效儲存電荷的挑戰(zhàn),人們逐漸開發(fā)研究新型的存儲器件,如鐵電存儲器(ferroelectric random ac-cess ，

本文編號：1030227