金硅合金晶體結(jié)構與性質(zhì)的理論研究
本文關鍵詞:金硅合金晶體結(jié)構與性質(zhì)的理論研究
更多相關文章: 金硅合金 晶體結(jié)構 遺傳算法 密度泛函 結(jié)構穩(wěn)定性
【摘要】:本文根據(jù)研究現(xiàn)狀與計算條件選取了12個特殊組分的金硅合金:12.5%,25.0%,33.3%,37.5%,50.0%,57.1%,60.0%,62.5%,66.7%,75.0%,80.0%和87.5%對金硅體系進行了全面深入的研究;诋敶嬎銠C強大的運算能力,采用GA與第一性原理相結(jié)合的方法對這12個組分進行了系統(tǒng)性的全局結(jié)構搜索。鑒于金硅體系的復雜性,為了保證搜索的全面采取了無差異對待的思想,在結(jié)構搜索過程中對布拉維格子類型、原子位置、晶胞的維度與尺寸都沒有任何限定,晶胞內(nèi)的初始原子位置都是隨機生成的,化學計量比是唯一的已知信息。歷經(jīng)10萬余結(jié)構的搜索得到了每個體系的低能量結(jié)構,繪制出了金硅體系完整的結(jié)合能曲線,然后對結(jié)合能曲線進行了全面系統(tǒng)的分析,并得出3條重要結(jié)論:1.大部分的金硅化合物都很難穩(wěn)定存在;2.金含量為50%時可形成最穩(wěn)定的金硅化合物;3.富金的比富硅的金硅化合物更易于存在;谟嬎憬Y(jié)果和以上3條重要結(jié)論篩選出了搜索結(jié)果中符合結(jié)合能為負值且處于結(jié)合能曲線極小值點的3個有可能穩(wěn)定存在的體系:50.0%,66.7%和80.0%,對其低能量結(jié)構的結(jié)構特征進行了詳細分析并通過計算結(jié)合能,聲子帶結(jié)構和彈性常數(shù)來驗證結(jié)構的穩(wěn)定性,結(jié)果顯示#63 CMCM Au8Si8,#20 C2221 Au16Si8和#121I-42M Au8Si2 3個結(jié)構均滿足熱力學穩(wěn)定性、動力學穩(wěn)定性和力學穩(wěn)定性,因此50.0%,66.7%和80.0%3個體系的低能量合金結(jié)構有穩(wěn)定存在的可能。通過計算這3個結(jié)構的電子性質(zhì)驗證了富金的金硅合金更偏向于金的性質(zhì)。最后基于金硅體系完整的結(jié)合能曲線定性解釋了金在實驗上用于生長硅納米線的機理。為金硅合金在實際中的應用提供了有價值的理論信息。
【關鍵詞】:金硅合金 晶體結(jié)構 遺傳算法 密度泛函 結(jié)構穩(wěn)定性
【學位授予單位】:青島大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2015
【分類號】:TG146.31;TN304
【目錄】:
- 摘要2-3
- Abstract3-7
- 第一章 緒論7-9
- 1.1. 金硅體系的研究進展7-8
- 1.2. 本文研究思路及內(nèi)容8-9
- 第二章 理論基礎9-34
- 2.1. Hartree-Fock方法9-16
- 2.1.1. Hartree-Fock方程9-12
- 2.1.2. 組態(tài)相互作用12-13
- 2.1.3. 耦合簇方法13-14
- 2.1.4. 微擾理論14-16
- 2.2. 密度泛函理論16-23
- 2.2.1. 密度泛函思想17-18
- 2.2.2. Thomas-Fermi模型18-20
- 2.2.3. HK定理20
- 2.2.4. Kohn-Sham方程20-21
- 2.2.5. 局域密度近似21-22
- 2.2.6. 廣義梯度近似22
- 2.2.7. 雜化泛函22-23
- 2.3. 平面波方法23-34
- 2.3.1. 近自由電子近似23-24
- 2.3.2. 緊束縛近似24-26
- 2.3.3. 正交化平面波方法26
- 2.3.4. 贗勢26-28
- 2.3.5. 綴加平面波法28-29
- 2.3.6. 模守恒贗勢29-30
- 2.3.7. 超軟贗勢30-31
- 2.3.8. 投影綴加平面波勢31-34
- 第三章 金硅合金晶體結(jié)構與性質(zhì)的理論研究34-51
- 3.1 計算方法34-35
- 3.2 計算結(jié)果與討論35-46
- 3.2.1 50%體系39-41
- 3.2.2 57.1%和 80%體系41-42
- 3.2.3 33.3%和 66.7%體系42-45
- 3.2.4 其他體系45-46
- 3.3 結(jié)構的穩(wěn)定性與性質(zhì)46-49
- 3.4 硅納米線生長機理解釋49
- 3.5 小結(jié)49-51
- 第四章 總結(jié)與展望51-53
- 參考文獻53-55
- 附錄55-67
- POSCARVol.cpp55-61
- POSCARBL.cpp61-67
- 攻讀學位期間的研究成果67-68
- 致謝68-69
【相似文獻】
中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條
1 ;山西煤化所碳化硅納米線研究取得新進展[J];人工晶體學報;2009年S1期
2 龔文莉;萬麗娟;張健;;圖形化硅納米線陣列的制備[J];功能材料與器件學報;2009年06期
3 吳軍;楊文彬;何方方;周元林;董發(fā)勤;;無電金屬沉積法硅納米線陣列的制備研究[J];功能材料;2011年02期
4 鄭紅梅;顧家禎;袁志山;;硅納米線研究進展概述[J];廣州化工;2012年08期
5 蔣玉榮;秦瑞平;蔡方敏;楊海剛;馬恒;常方高;;硅納米線陣列的制備及光伏性能[J];硅酸鹽學報;2013年01期
6 高尚鵬,袁俊,羅俊,朱靜;單根硅納米線等離子激發(fā)色散關系的測量[J];電子顯微學報;2002年05期
7 唐元洪,裴立宅;摻雜硅納米線的光電特性[J];中國有色金屬學報;2004年S1期
8 曾湘波,廖顯伯,王博,刁宏偉,戴松濤,向賢碧,常秀蘭,徐艷月,胡志華,郝會穎,孔光臨;等離子體增強化學氣相沉積法實現(xiàn)硅納米線摻硼[J];物理學報;2004年12期
9 裴立宅,唐元洪,張勇,郭池,陳揚文;氧化物輔助生長硅納米線[J];材料工程;2005年06期
10 裴立宅;;硅納米線的制備技術[J];稀有金屬快報;2007年06期
中國重要會議論文全文數(shù)據(jù)庫 前10條
1 易長青;戚穗堅;楊夢u&;;硅納米線與細胞相互作用的研究[A];中國化學會第27屆學術年會第03分會場摘要集[C];2010年
2 邢英杰;奚中和;薛增泉;俞大鵬;;用催化劑控制硅納米線直徑的研究[A];中國真空學會五屆三次理事會暨學術會議論文集[C];2002年
3 杜偉強;黃陟峰;;硅納米線陣列的制備和表征[A];中國化學會第27屆學術年會第04分會場摘要集[C];2010年
4 穆麗璇;師文生;;基于硅納米線的熒光化學邏輯開關[A];中國化學會第27屆學術年會第04分會場摘要集[C];2010年
5 裴立宅;唐元洪;陳揚文;郭池;張勇;;硅納米線的表征、性能及應用[A];第五屆中國功能材料及其應用學術會議論文集Ⅱ[C];2004年
6 劉文平;宋達;李鐵;李昕欣;王躍林;;集成硅納米線制造技術及其電學性質(zhì)研究[A];中國微米、納米技術第七屆學術會年會論文集(一)[C];2005年
7 高尚鵬;袁俊;羅俊;朱靜;;單根硅納米線等離子激發(fā)色散關系的測量[A];第十二屆全國電子顯微學會議論文集[C];2002年
8 黃陟峰;;多孔硅納米線的制備及性能表征[A];中國化學會第29屆學術年會摘要集——第33分會:納米材料合成與組裝[C];2014年
9 彭飛;蘇媛媛;季曉媛;何耀;;基于硅納米線的藥物載體進行癌癥治療[A];中國化學會第29屆學術年會摘要集——第35分會:納米生物醫(yī)學中的化學問題[C];2014年
10 趙建國;郭永;張素芳;王海青;;化學氣相反應制備碳化硅納米線[A];第六屆中國功能材料及其應用學術會議論文集(6)[C];2007年
中國重要報紙全文數(shù)據(jù)庫 前4條
1 記者 馬凌霜 通訊員 黃愛成;中山大學研制首張硅納米線紙[N];廣東科技報;2013年
2 記者 徐玢;美研發(fā)出新型硅納米線電池[N];科技日報;2007年
3 尚力;美國成功研制太陽能防彈衣[N];中國紡織報;2010年
4 郭俊玲;“小尺度”展示大科學[N];中國教育報;2008年
中國博士學位論文全文數(shù)據(jù)庫 前10條
1 張仁勤;外場作用下硅納米線的能帶結(jié)構及其作為光解水催化劑的應用[D];吉林大學;2011年
2 鄒俊;用于光互連的基于硅納米線波導的陣列波導光柵的研究[D];浙江大學;2015年
3 顧林;碳化硅納米線及金屬氧化物/氫氧化物復合材料在超級電容器中的應用研究[D];浙江大學;2015年
4 熊祖周;硅納米線基復合結(jié)構的構筑及其光催化水分解性能研究[D];上海交通大學;2013年
5 萬麗娟;硅納米線陣列的制備及其在生化傳感器中的應用[D];華東師范大學;2010年
6 穆麗璇;基于硅納米線的光響應化學傳感器研究[D];中國科學院研究生院(理化技術研究所);2008年
7 朱美光;硅納米線陣列的光譜特性與電學特性的研究[D];華東師范大學;2011年
8 王志亮;硅納米線電、磁和熱性能研究及應用[D];華東師范大學;2012年
9 喬雷;硅納米線陣列復合電極的制備及其光電化學分解水性能的研究[D];重慶大學;2014年
10 白帆;硅納米線陣列的可控制備及新型異質(zhì)結(jié)太陽電池研究[D];哈爾濱工業(yè)大學;2014年
中國碩士學位論文全文數(shù)據(jù)庫 前10條
1 徐靜;金屬催化化學腐蝕法制備硅納米線的研究[D];鄭州大學;2015年
2 張文文;一維硅納米結(jié)構的形貌調(diào)控及相關機制研究[D];復旦大學;2014年
3 劉曉鵬;硅納米線陣列結(jié)構調(diào)控及減反特性研究[D];哈爾濱工業(yè)大學;2014年
4 黃睿;硅納米線的制備及其在新型太陽能電池中的應用[D];華北電力大學;2015年
5 胡靜;圖案化藍寶石襯底及硅納米線的制備[D];南京大學;2015年
6 陳偉鳳;硅納米線熱導率邊緣效應的鍵弛豫理論研究[D];湖南師范大學;2015年
7 徐鑫;金硅合金晶體結(jié)構與性質(zhì)的理論研究[D];青島大學;2015年
8 龔文莉;硅納米線的制備及其在傳感器應用方面的研究[D];華東師范大學;2009年
9 孫天玲;硅納米線及晶體硅選擇性擴散的研究[D];大連理工大學;2010年
10 汪彬;濕法化學刻蝕法制備硅納米線[D];東北師范大學;2010年
,本文編號:625826
本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/jinshugongy/625826.html