本文關(guān)鍵詞：鋁合金表面微弧氧化工藝條件研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】： 本論文在分析大量國(guó)內(nèi)外文獻(xiàn)的基礎(chǔ)上，，對(duì)微弧氧化技術(shù)研究現(xiàn)狀、 應(yīng)用前景和應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行了綜述，并對(duì)微弧氧化技術(shù)所涉及的理論基礎(chǔ)知 識(shí)進(jìn)行了概括。 重點(diǎn)是實(shí)驗(yàn)研究部分，在該部分中主要研究了微弧氧化的電流密度、 氧化時(shí)間、溶液體系的成分、不同基體材料等對(duì)在鋁合金表面微弧氧化制 備陶瓷膜層的影響，通過(guò)實(shí)驗(yàn)找出了能制得性能優(yōu)異的陶瓷膜層的條件。 初步探討了鋁合金試樣表面陶瓷化成膜的機(jī)理，對(duì)不同實(shí)驗(yàn)條件下制備的 陶瓷膜的形貌、結(jié)構(gòu)、硬度和厚度等性能進(jìn)行了測(cè)試分析，研究了影響陶 瓷膜層性能（厚度、硬度、附著強(qiáng)度、耐磨性、耐腐蝕性等）的主要因素。 實(shí)驗(yàn)研究和理論分析表明：電流密度40～60A/dm~2，微弧氧化時(shí)間 60～90min，一定的工作電壓輸出是能發(fā)生微弧氧化的較好條件。其中電 流密度、工作電壓是決定能否發(fā)生微弧氧化的關(guān)鍵因素；在一定的氧化時(shí) 間范圍內(nèi)，氧化時(shí)間的長(zhǎng)短是決定微弧氧化膜層厚度的根本因素；而溶液 體系的成分、基體材料的組成等雖對(duì)微弧陶瓷膜層有一定的影響，但影響 不是很大。 微弧氧化制備的陶瓷膜層主要由α—A1_2O_3和γ—Al_2O_3組成，具有孔 隙率低、擊穿電壓高、硬度高、耐磨性好、耐腐蝕能力強(qiáng)、抗熱震性和抗 熱沖擊性好等優(yōu)異性能。 由于微弧氧化技術(shù)能在鋁材表面原位生長(zhǎng)陶瓷膜層，從而它把第二代 工程材料（鋁合金材料）與第三代工程材料（陶瓷材料）的優(yōu)點(diǎn)結(jié)合了在 一起，使得微弧氧化技術(shù)能夠滿足許多尖端技術(shù)的需要，在軍工、航空、 航天、機(jī)械、紡織、汽車、醫(yī)療、電子和裝飾等許多領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用前 景。
【關(guān)鍵詞】：微弧氧化 鋁合金 陶瓷層
【學(xué)位授予單位】：昆明理工大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2001
【分類號(hào)】：TG175.3
【目錄】：

• 第一章 緒論42-53
• 1．1 微弧氧化的發(fā)展與現(xiàn)狀42-51
• 1．1．1 工藝機(jī)理研究發(fā)展42-45
• 1．1．2 膜層的制備方法45-48
• 1．1．3 影響制備的因素48-49
• 1．1．4 膜層結(jié)構(gòu)與性能及其應(yīng)用領(lǐng)域49-51
• 1．1．5 小 結(jié)51
• 1．2 本課題的提出及其研究的意義51-52
• 1．3 本課題研究的內(nèi)容52-53
• 第二章 理論基礎(chǔ)53-70
• 2．1 鋁及其鋁合金和氧化鋁53-57
• 2．1．1 工業(yè)純鋁53
• 2．1．2 鋁合金53-57
• 2．1．3 氧化鋁57
• 2．2 陶瓷57-62
• 2．2．1 陶瓷概述57-59
• 2．2．2 陶瓷的顯微結(jié)構(gòu)59-60
• 2．2．3 特種陶瓷60-62
• 2．3 等離子體62-63
• 2．3．1 等離子體的概念62
• 2．3．2 氧等離子體62-63
• 2．4 陽(yáng)極氧化反應(yīng)63-66
• 2．4．1 陽(yáng)極氧化過(guò)程與電壓的對(duì)應(yīng)關(guān)系63-64
• 2．4．2 陽(yáng)極析氧反應(yīng)的過(guò)程64-65
• 2．4．3 陽(yáng)極析氧反應(yīng)的機(jī)理65-66
• 2．5 膠體的運(yùn)動(dòng)性質(zhì)66-67
• 2．6 固態(tài)電介質(zhì)的擊穿67-69
• 2．6．1 固態(tài)電介質(zhì)的擊穿及其分類67-68
• 2．6．2 固態(tài)電介質(zhì)擊穿的特性68
• 2．6．3 陽(yáng)極阻擋層的電擊穿68-69
• 2．7 小結(jié)69-70
• 第三章 實(shí)驗(yàn)研究70-103
• 3．1 實(shí)驗(yàn)設(shè)備70-71
• 3．1．1 微弧氧化電源70
• 3．1．2 電解槽70-71
• 3．1．3 攪拌系統(tǒng)71
• 3．1．4 其它設(shè)備或儀器71
• 3．2 實(shí)驗(yàn)基本操作步驟71-72
• 3．3 微弧氧化工藝條件研究72-103
• 3．3．1 電流密度研究72-77
• 3．3．1．1 實(shí)驗(yàn)方法72-73
• 3．3．1．2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論73-77
• 3．3．2 微弧氧化時(shí)間研究77-81
• 3．3．2．1 實(shí)驗(yàn)方法77
• 3．3．2．2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論77-81
• 3．3．3 溶液體系的研究81-87
• 3．3．3．1 實(shí)驗(yàn)方法81-82
• 3．3．3．2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論82-87
• 3．3．4 不同基體材料的研究87-95
• 3．3．4．1 實(shí)驗(yàn)方法87
• 3．3．4．2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論87-95
• 3．3．5 微弧氧化機(jī)理的推測(cè)95-101
• 3．3．6 小結(jié)101-103
• 第四章 結(jié)論103-107
• 4．1 影響制備陶瓷層的因素103-104
• 4．2 微弧氧化陶瓷膜層104-105
• 4．3 微弧氧化的機(jī)理105-107
• 參考文獻(xiàn)107-112
• 致謝112

【引證文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前3條

1 祝曉文;韓建民;崔世海;王金華;;鋁、鎂合金微弧氧化技術(shù)研究進(jìn)展[J];材料科學(xué)與工藝;2006年04期

2 賀永勝,趙志龍,劉一洋,劉林;鋁合金微弧氧化熱力學(xué)機(jī)理及影響因素的分析[J];電鍍與環(huán)保;2005年06期

3 徐勇;國(guó)內(nèi)鋁和鋁合金微弧氧化技術(shù)研究動(dòng)態(tài)[J];腐蝕與防護(hù);2003年04期

中國(guó)博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前2條

1 劉妍;AZ91D鎂合金微弧氧化工藝及成膜行為研究[D];浙江大學(xué);2012年

2 潘明強(qiáng);微弧氧化膜層形成及其表面粗糙度的研究[D];哈爾濱工業(yè)大學(xué);2010年

中國(guó)碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條

1 周怡;AL-Si合金Al_2O_3-ZrO_2微弧氧化層生長(zhǎng)及性能研究[D];西安工業(yè)大學(xué);2011年

2 李佳慶;鋁合金表面不同顏色微弧氧化陶瓷層的制備工藝研究[D];吉林大學(xué);2011年

3 程琳;鎂鋰合金中鋰含量對(duì)微弧氧化成膜的影響[D];哈爾濱工業(yè)大學(xué);2010年

4 賀永勝;微弧氧化特種電源器件選擇及實(shí)驗(yàn)分析[D];西北工業(yè)大學(xué);2006年

5 龐磊;鎂合金微弧氧化陶瓷膜的制備及其性能研究[D];吉林大學(xué);2006年

6 侯正全;ZL201鑄造鋁合金微弧氧化工藝研究[D];上海交通大學(xué);2007年

7 鄺春偉;工藝參數(shù)對(duì)鋁合金黑色微弧氧化陶瓷膜成膜規(guī)律的影響[D];武漢理工大學(xué);2008年

8 付華;AZ31鎂合金微弧氧化膜制備工藝的研究[D];江蘇大學(xué);2009年

9 崔麗華;鑄造鋁合金微弧氧化工藝及其優(yōu)化[D];長(zhǎng)安大學(xué);2009年

10 李康;鎂鋰合金微弧氧化陶瓷膜的制備及耐腐蝕性能[D];哈爾濱工業(yè)大學(xué);2008年

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本文編號(hào)：491492